Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (C30B7)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)
C30B7                 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B9; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B11; под защитной жидкостью C30B27)(7)

Устройство для проведения реакций методом встречной диффузии реагентов // 154303
Технический результат расширение функциональных возможностей за счет контактирования и вступления в реакцию большего числа реагентов без перенастройки устройства, а также обеспечение разборности конструкции.
 
2549044.
Наверх