Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B33)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(81)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)

C30B33 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5)(2)

C30B33/02 - Термообработка (C30B33/04,C30B33/06 имеют преимущество)(1)

Установка для термической обработки монокристаллов // 74389

Станок для продольного разрезания слитков кремния // 61718

2549035.