Травитель для пленок окиси железа

Авторы патента:

H01L21/465 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя H01L 21/469)

1 .,--Ъ о и и- >е -и- ии

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЯЬСТВУ

Союз Советских

Социалистимаскии

Республик

<» 427427 (б1) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 11,08.72 (21) 1821673/26-25 (51) М. Кл. Н 0117/50

С 23f 1/00 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Совета Министрае СССР ле делам изобретений и открытий (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 05.05.74. Бюллетень № 17

Дата .опубликования описания 17.01.75 (53) УДК 621.382 (088.8) (72) Автор изобретения

Н. А. Постовит (71) Заявитель (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПЛЕНОК ОКИСИ ЖЕЛЕЗА что очень существенно при проведении фотолитографии на пленках Fe 03, так как скоростью гравления определяегся точность передачи рисунка при фотолитографии.

Пример. Пленка окиси железа толщиной 1500 вЂ” 2000 А напыляется на обезжиренную стеклянную подложку реактивным катодным распылением в кислороде. На подложку

10 наносится фоторезист на .центрифуге при скорости вращения 1100 вЂ” 1200 об/>вин.

После этого подложку сушат, экспонируют и проявляют обычным способом. Травление производят в 1%-ном растворе Ге$04 в концентрированной соляной кислоте уд. веса 1,18.

После вытравливания рельефа фотошаблона фоторезист удаляют в диоксане и тщательно промывают в дистиллированной воде, 20

Травптель для пленок окиси железа на основе концентрированной соляной кислоты, отличающийся тем, что, с,целью увеличения скорости травления и улучшения воспроизводимости рисунка при фотолитографии, о» содержит соли двухвалентного железа от 1 до

15 вес. %

Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов на напыленных пленках окиси железа.

Известно, что пленки, формируемые реактивным катодным распылением в кислороде, не,поддаются травлению в концентрированных кислотах при комнатной температуре.

Повышение температуры увеличивает испарение, кислоты и ухудшает адгезию фоторезиста, что отрицательно влияет на качество фотолитографии.

Цель изобретения состоит в разработке травителя для пленок окиси железа, который позволит получить воспроизводимый рисунок при фотолитографии.

Сущность изобретения состоит в том, что для травления пленок окиси железа Fe>0, используется концентрированная соляная кислота с,добавлением солей FeCI, или Fe$04, ускоряющих процесс. ,Приготовляется травитель следующим образом: в концентрированную соляную кислоту (уд. вес 1,18} добавляется соль FeCI, или

FeSO4 из расчета: НСI 85 вЂ” 99 вес.,/о и FeCI или FeSO4 1 вЂ” 15 вес.%.

Меняя количественный состав компонентов травителя, можно регулировать скорость травления наптяленных пленок окиси железа, Предмет изобретения

Патент 415897 // 415897

Раствор для избирательного травления пленок хрома // 397993

Травитель для снятия пленок титана // 391613

Способ матирования поверхности кварца // 263045

Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов // 186032

Патент 154614 // 154614

Способ травления пластин для твердых выпрямителей и фотоэлементов // 31516

Способ очистки поверхности теллурида кадмия и ртути // 2152109

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике

Способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках cdxhg1xte // 2097871

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов

Полирующий травитель для обработки кристаллов дифторида бария // 2006981

Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств

Способ пассивации поверхности теллурида кадмия - ртути // 2022401

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов

Травитель для пленок окислов сурьмы // 441615

Раствор для матирования поверхности кварца // 458904

Травитель для растворения слоевсурьмяно-силикатного стекла и двуо-киси кремния // 508825

Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния // 534835

Анизотропный травитель // 557434

Травитель для выявления дислокаций в монокристаллах твердых растворов ртуть-кадмий-теллур // 557435