Патент ссср 154614
Класс Н О11; 21g, 11О
Jljo 1 О.1 ", д
СС "
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная ару та .Ъ" 97
Е. С, Мягкова и А. В. Климовицкая
СПОСОБ ЗАЩИТЫ р-и-ПЕРЕХОДОВ ПОЛУП РОВОДН И КОВЬ1Х
ДИОДОВ
33!((На(((!О 17 мая 1962 r. за ¹ 779152/26-9 в КОК(итвт Il0 To 1 I 3! II30(!POToh ill! li Откр в!ти(! !IP!I CQIIcTo sit! Ill! IoTPoII (-(.(. !
ОнуО ((икОванО в iibIorl. !(Toí(НИО(!1)(. .Ti. Illl!I il тОИН!) н!э. х:(н аква» .№! (! За 963 г
Известен способ защиты р-и-переходов полупроводниковых диодов от влияния дестабилизирующих факторов, основанный на обработке поверхности переходов химическими реактивами. Недостатком известного способа является большая нестабильность параметров защищенных по этому способу полупроводниковых диодов при повышенных температурах (125 †1 С), Г1редлагаемый способ защиты р-и-переходов полупроводниковых диодов отличается от известного использованием для обработки поверхности переходов метилхлорсиланов, что даст возможность повысить стабильность параметров полупроводниковых приборов при повышенных температурах.
Сущность оп:.!сываемого способа состоит в следу!ощем.
Програвленпые и промытые в воде р-и-переходы обрабатываются
1-10%-ным раствором любого из метилхлорсиланов, например, CH3SiC1>, (CH3) SiC1., (СН,) 3SiC1 или их смесью в безводном серном эфире.
Обработка производится в течение 5 — 7 вин при комнатной температуре (не выше 1() С) и слабом помешивании с последующей сушкой под вакуумом (!0 - .((,(3 рг, ст.) при температуре 130 — -150 С в течение четырех часов.
Ниже проводится разработанная в соответствии с предлагаемым способом технология защиты р-t7-переходов полупроводниковых диодов па примере дпмет!3чдихлорсилана (CH3) gS1Clg> состоящая из следующих операции:
1) Очистка диметилдихлорс:!лапа с помощью разгонки в ректификационной колонке с îráîðoì фракции в точке кипения, ¹ 154614
Предмет изобретения
Способ защиты р-и-переходов полупроводниковых диодов, основанный на обработке переходов химическими реактивами, о т л и ч а юшийся тем, что, с цес!ыо увеличения стабильности параметров диодов при повышенных темгературах, p-n-переход подвергают травлению и обрабатывают 1- — 10 о/о -ным раствором метилхлорсиланов, например (СНз)вЯ!С1, (СНз) 2SiC(g, СНзЯ!С!з H.iè их смесью, а затем подвергают !!олупроводниковые диоды сушке под вакуумом при температуре 130—
150 С.
Составитель Jl. Рубинчик
К!!ррсктор А. ч омина
Тскред А. А Камышпикова
Редактор В Корзун (1одп к печ. 15/УII-63 г. Формат Gyr!t. 70Х108!!„ Об ьем 0,1В . зл л.
Заказ 2055 1 ираж 1200 Цена 4 коп
Ц1-IИИПИ Государственно -о комитета по;!слам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, проезд Серова, дом 4
Киржачская типография отдела издательств и полиграфической промышленности
Владимирского областного Управления культуры.
2) Приготовление 5в/в-ного раствора диметилдихлорсилана в безводном серном эфире.
3) Травление и промывка р-п-переходов по обычной технологии,,) Удаление с промытых р-и-переходов капель воды фильтровальной бумагой.
5) Обработка р-и-переходов свежеприготовленным 5%-ным раствором диметилдихлорсилана в серном эфире в течение 7 мин при слабом помешивании.
6) Сушка обработанных р-22-переходов на воздухе в течение 10 мин, а 3 а т е м в в а к у у;. .! 0. с LL! и. ь н о м ш к а ф у (1 0 м A p т. с т, ) В те ч е н и е четырех часов при температуре 130 — 150 С, Дальве!!н!ая технология изготовления диодов остается без изменений.
Обработанные таким образом р-и-переходы не требуют дополнительной защиты и могут до окончательной сборки находиться длительное время на воздухе без нарушения стабильности их параметров.
