Тонкопленочный запоминающий элемент

О П И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

376805

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17.IX.1971 (№ 1697617/18-24) М. Кл. G 11с 11, 14 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1Ч.1973. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 23.VII.1973

Комитет ло лелем изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения

В. В. Горбачев, В. Г. Дзевалтовский и Г. П, жариков

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предложенный элемент относится к области вычислительной техники и может быть использован для построения ЗУ цифровых вычислительных машин.

Известен тонкопленочный запоминающий элемент, управляемый однополяр ыми токами и состоящий из анизотроппой тонкой магнитной пленки, обладающей значительной дисперсией направления оси легкого намагничивания по площади пленки, и управляющих числовой и разрядной полосковых линий, охватывающих пленку.

Однако такой элемент для записи информации требует больших разрядного и числового токов (большие токи для перемагничивания дисперсных пленок обусловлены блокировкой процессов вращательного перемагничивания, наличием в таких пленках вращающейся анизотропии), а считываемый сигнал мал, что обусловлено участием процессов смещения доменных границ на части площади пленки со значительной дисперсией направления намагничивания.

Целью изобретения является увеличение выходного сигнала и повышение экономичности тонкоплен очных запоминающих элементов.

Эта цель достигается путем того, что тонкая магнитная пленка выполнена из двух магнитных слоев, разделенных немагнитной прослойкой. Причем оси легкого намагничивания магнитных слоев составляют острый угол с числовой полосковой линией и отклонены от нее в разные стороны.

На чертеже показан предложенный эле5 мент.

Он состоит из двух взаимно перпендикулярных полосковых линий (числовой 1 и разрядной 2) и расположенной между прямыми и обратными проводниками обеих линий под10 ложки 8 с тонкой магнитной пленкой 4.

Пленка 4 состоит из двух магнитных слоев 5 и б, разделенных немагнитной прослойкой 7.

Оси легкого намагничивания слоев, указанные стрелками 8 и 9, составляют между со15 бой угол порядка 10, а усредненное по толщине пленки направление легкого намагничивания 10 совпадает с направлением числовой линии. Направление трудного намагничивания, усредненное по толщине пленки, 20 указано стрелкой 11.

Предложенный элемент работает следующим образом.

Запись.

Запись «О» производится путем возбуждения в числовой линии 1 импульса тока, магнитное поле которого насыщает пленку 4 в направлении трудного намагничивания (11) .

После спада импульса числового тока пленка

4 остается намагниченной в направлении

30 трудного намагничивания. Причиной этому

376805

Предмет изоб ретения

Составитель Ю, Розенталь

Редактор Л. Утехина Техред T. Курилко Корректоры: E. Давыдкина и А. Николаева

Заказ 1980/2 Изд. № 497 Тираж 57б Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 являются перекосы осей легкого намагничивания 8 и 9 от направления числовой линии

1 и обменная связь между слоями 5 и б через сверхтонкую немагнитную прослойку 7.

Вследствие перекосов после спада импульса числового тока намагниченность слоев 5 и б отклоняется от направления трудного намагничивания 11 в разные стороны к ближайшим направлениям легкого намагничивания 8 и 9. При вращении намагниченностей слоев 5 и б в разные стороны энергия обменной связи между слоями 5 и 6 возрастает, благодаря чему возрастает сила, противодействующая силам анизотропии, вращающим намагниченности. При некотором угле а между намагниченностями слоев 5 и б, определяемом полем анизотропии слоев 5 и б; углом перекоса направлений легкого намагничивания 8 и 9 и толщиной немагнитной прослойки 7, наступает равновесие сил анизотропии и обменной связи, и вращение намагниченностей слоев прекращается.

Запись «1» производится путем возбуждения импульсов тока в числовой линии 1 и в разрядной линии 2. Причем ток разрядной линии 2 перекрывает задний фронт импульса в числовой линии 1. Намагниченность пленки

4 под действием магнитных полей токов вращается в одну сторону от направления трудного намагничивания (11) до направления легкого намагничивания (10).

Считывание.

В числовой линии 1 возбуждается импульс тока. В случае когда пленка 4 намагничена в направлении легкого намагничивания 10, в разрядной линии 2 вследствие одностороннего вращательного перемагничивания пленки 4 возбуждается сигнал, что является

10 признаком «1».

Таким образом, предложенный элемент так же, как и известный, управляется однополярными токами.

Тонкопленочный запоминающий элемент, содержащий подложку с тонкой магнитной пленкой, охваченную числовой и разрядной

20 полосковыми линиями, расположенными под прямым углом одна к другой, отлича(ощийся тем, что, с целью увеличения выходного сигнала и повышения экономичности элемента, топкая магнитная пленка выполнена из двух

25 магнитных слоев, разделенных нем агп прослойкой, причем оси легкого намагничивания магнитных слоев составляют острый угол с числовой полосковой линией и отклонены от нее в разные стороны.