Патент ссср 397861

 

39786l

ОПИСАНИЕ изоьеетиния

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз CoeercHHx

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. G 01r 31/26

Заявлено 07.IV.1972 (№ 1768941/26-25) с присоединением зая в ки № П,риор итет

Опубликовано 17.1Х.1973. Бюллетень № 37

Дата опубликования описания 13.II.1974

Государственный комитет

Совета Министров "ССР оо делам изобретений и открытий

УДК 621.:385(088.8) Авторы изобретения

В. А. Куришко и В. В. Стрельченко

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к измерительной технике.

Известны устройства, в которых для каждого параметра применен свой усилитель, соответствующий определенному виду сигнала (постоянному, импульсному или синусоидальному напряжен ию) .

Такие устройства сложны, недостаточно помехоустойчивы (особенно для импульсных усилителей) и и меют разные неста бильности коэффициентов усиления (разные временные и температурные дрейфы).

Целью и зобретения явл|яется повышение помехоустойчивости и получение одинаковой нестабильности коэффициента усиления сигналов постоянного импульсного и синусоидального напряжений.

Эта цель достигается за счет того, что в предложенном устройстве синхронизирующие входы источников импульсного и синусоидального напряжений и управляющие входы модулятора |и демодулятора соединены с выходами распределителя временных интервалов, вход которого соединен с задающим ген ератором.

На чертеже представлена блок-схема устройства.

Оно содержит источник импульсного напряжения 1, источник синусоидального напряжения 2, источник постояв ного напряжения 3, коммутирующее устройство 4, модулятор 5, узкополосный усилитель 6, демодулятор 7, распределитель временных интер валов 8, задающий генератор 9 и и ндикаторное устройство 10.

Устройство .работает следующим образом.

Импульсы с задающего генератора 9 поступают на вход распределителя 8. Распределиель формирует импульсы, синхронизирующие

10 работу источника импульсного напряжения 1, источника синусоидального на пряжения 2, управляющие модулятором 5 и демодулятором

7 усилителя постоянного тока.

15 Частота напряжения синусоидального источника выбрана, исходя из требований к частоте синусоидального напряжения, необходимого для измерения низкочастотных параметров

TpBIHsHcT0ðîâ (до 1000 .гц). Частота импуль20 сов, синхронизирующих работу источника импульсного напряжения и управляющих модулятором, равна частоте напряжения cHHvcoHдального источника. Длительность выходных импульсов источника, импульсов, источника

25 импульсного напряжения выбрана, исходя из требуемой скважностп при измерении параметров транзисторов.

Синхронизация и управление происходят таким образом, что импульсь1 источника импуль30 сного напряжения и управления модулято ром

397861

Техрсд A. Камышникова Корректор Т. Добровольская

Редактор Л. Утехина

Тирана 755

Изд. М 90

Подписное

Заказ 224, 7

Типография, пр. Сапунова, 2 расположены B центре полржнтельной (отрицателыной) полуволны синусоиды.

Напряжения с выходов источников 2, 1 и 3 поступают на входы коммутирующего устройства 4. Устройство 4 осуществляет подключсние этих напря>кений к испытуемому транзистору, который входит в состав успройства 4 в соответств ии Ic измеряемыми параметрами.

Таким образом, в точке измерения параметра транзистора появляются напряжения различной формы (синусоидальное, импульсное и постоянное) .

Эти напряжения поступают на вход модул ятэра 5, на управляющий вход которого поступают импульсы с выхода распределителя 8.

С выхода модулятора 5 на вхор, усилителя 6, настроенного,на первую гармонику входного сигнала, поступают импульсы, длительность которых равна длительности управляющих и мпульсов, а вершина имеет форму вырезанной час1>и синусоиды, если входной сипнал— синусоида; форму вырезанн|ой части вершины импульса, если вход ной сигнал — импульс; или форму вырезанной части постоянного напряжения, если, входной сигнал — напряжение постоя нного тока. Усилитель 6 усиливает первую гармонику входной импульсной последовательн ости.

С выхода усилителя 6 сигнал поступает на вход демодулятора 7, на управляющий вход которого поступают импульсы с распределителя 8. Управление происходит таким образом, что ключ демодулятора 7 открывается в районе амплитудного зн ачения синусоидагльного напряжения, причем напряжение по абсолютному значению только нарастает.

Детектирова н ное напряжение, пропорциональное измеряемому па раметру транзистора, поступает на инд>ика торное устройство 10, ТО (стрелочный прибор, цифровой вольтметр и др.).

Предмет изобретения

Устройство для измерения параметров транзисторов, со держащее источники постоянного, импульсного и си нусоидального напряжений, коммутирующее и индикаторное устройства, усилитель постоянного тока, состоящий;из модулято ра, узкополосного усилителя и демодулятора, отличающееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и получения одинаковой нестабильности коэффициента усиления сигналов постоянного, импульсного и синусоидального напряжений. синхронизирующиевходы источников импульсного и синусоидального напряжений, управляющие входы модулятора и демодулятора соединены с выходами распределител я временных интервалов, вход котороЗО го соединен с задающим генератором.

Патент ссср 397861 Патент ссср 397861 

 

Похожие патенты:

Вптб // 389475

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх