Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов

 

О П И С А H И Е 39)475

ИЗОЬРИТИНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Й,:

Заявлено 09.XI.1971 (№ 1713911/26-25) М. Кл. G 01n 31 26 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 25.VII.1973. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания IО.XII.1973

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

УДК 621.317(088.8) Авторы изобретения

О. Е. Ларин и Б. П. Рябинин

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Изобретение относится к .контрольно-измерительной технике, конкретно к устройствам для контроля и испытаний полупроводниковых диодов.

Известны устройства для испытания диодов, содержащие схему электрического моста, трансформатор с обмотками прямого тока и обратного напряжения индикаторы и электронные ключи на тиратронах.

Такие устройства обеспечивают одновременное измерение максимум двух параметров испытываемого диода, при этом точность измерения не высока.

С целью уменьшения времени измерения и обеспечения контроля нескольких параметров одновременно, вторичные обмотки трансформатора соединены встречно и их средний вывод подключен через индикатор обратного тока iK inлюсу испытуемого, диода, минус ко 1 орого соединен со вторичными обмогками трансформатора через тиратроны, включенные в прямом и обратном направлениях, Кроме гого, схема электрического моста подключена ко вторичной обмотке трансформатора и соединена с испытуемым диодом через тиратроны.

На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит трансформатор со вторичными обмотками 1а и 1б; тиратроны

2а и 2б, индикатор 3 обратного тока, испытуемый диод 4, индикатор 5 прямого тока, схему б электрического моста, в котором находятся тиратроны 7, резисторы 8 inлеч моста и индикатор 9 падения прямого напряжения.

Кроме того, устройство содержит ряд элементов, обеспечивающих его работу. Основными

10 из них являются трансформатор 10 регулировки, индикатор 11, трансформатор 12 запуска тиратронов, резисторы 13 и 14 установки нуля и кнопка 15 установки. нуля.

15 Устройство работает следующим образом.

В положительный полупериод переменного напряжения открывается тиратрон 2а и на иснытуемый диод 4 действует обратное напря20 жение U,ор, которое контролируется индикатором 11. В отрицательный полупериод тиратрон 2а закрывается, открывается тиратрон

2б и через диод протекает ток в прямом направлейии. Этот ток регулируется резистором

25 13 и контролируется инди катором 5. Одновременно с тиратроном 2б открываются тиратропы 7, обеспечивая тем самым подключение к измерительному мосту испытуемого диода, инди катор 9 регистрирует, падение напряже30 пия на диоде при прохождении по нему пря391475

Предмет изобретения

-22

Составитель Т. Дозоров

Техред А. Камышникова

Корректор О. Усова

Редактор А. Морозова

Заказ 3252/8 Изд. № 832 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 мого тока. При следующем периоде цикл повторяется.

Индикатор З,контролирует среднее значение обратного тока, протекающего через диод. Резистор 14 служит для установки нуля индикатора электрического моста, при этом испытуемый диод замыкается кнопочкой 1о. Регулировочный трансформатор .10 служит для изменения обратного на пряжения на испытуе»ом диоде, а трансформатор 12 с обмотками запуска тиратронов, обеспечивает их включение в нужные моменты времени. предлагаемое устройство может найти широкое применение на предприятиях полупроводниковой промышленности и электронной техники. Благодаря его применению экономится значительное количество времени, необходимого для испытания полупроводникового диода, так IKBK измеряются сразу четыре параметра, характеризующих его работу.

l. Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов, со5 держащее трансформатор со вторичными обмотками, тиратроны, схему электрического моста и индикатор обратного напряжения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения времени измерения и обеспечения возможно10 сти .контроля нескольких .параметров одновременно, вторичные обмотки трансформатора соединены встречно и их средний вывод под.ключен через индикатор обратного тока к плюсу испытуемого диода, минус которого

15 соединен .со вторичными обмотками трансформатора через тиратроны, включенные в прямом и обратном направлениях.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что схема электрического моста подключена

20 ко вторичной обмотке трансформатора и соединена с испытуемым диодом через тиратроны.

Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов 

 

Похожие патенты:

Вптб // 389475

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх