Устройство для измерения слаботочных параметров полупроводниковых изделии

 

382981

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Сэциалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 11.XI1.1970 (№ 1602938/24-7) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.Ч.!973. Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания 6.Ч1.1974

М. Кл. G Olr 31/26

Гасударатвенный комитет

Совета Министров СССР оо делам изаоретений и открытий

УДК 621.318.56(088.8) Авторы изобретения

Н. М. Блакнтныи и В. К. Камуз

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СЛАБОТОЧНЫХ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРО ВОД Н И KOBblX ИЗДЕЛ И Й

Изобретение относится к контактным устройствам и предназначено для использования при измерении слаботочных параметров изделий в полупроводниковой промышленности.

Известны электромагнитные измерительные устройства, состоящие из катушки электромагнита и подвижного сердечника любой формы.

Такие электромагнитные устройства с подвижным сердечником характеризуются интенсивным износом из-за частого срабатывания.

Для ускорения процесса измерения контактные стержни предложенного устройства расположены внутри электромагнита неподвижно и отделены от его сердечника прокладкой.

На чертеже изображено предлагаемое устройство.

Устройство состоит из двух катушек 1, 2 электромагнита. Каждая катушка имеет неподвижный сердечник, состоящий из втулки

3, выполненной из магнитного материала (прижимная часть), контактного стержня 4 из материала с малым удельным сопротивлением (измерительная часть) и прокладки 5 из диэлектрика для устранения токов утечки.

Стержни 4 подключены к электроизмерительному прибору 6.

При подаче контролируемой детали 7 к устройству запитываются катушки 1, 2 электромагнита и прижимают деталь к стержням 4, через которые подается коммутируемый ток от электроизмерительного прибора 6. Происходит измерение параметра. По окончании измерения кату.шки 1, 2 электромагнита обесточиваются, и изделие попадает в устройство сортировки.

Предмет изобретения

Устройство для измерения слаботочных параметров полупроводниковых изделий, содержащее удерживающее устройство, выполненное в виде электромагнита, и измерительное устройство, состоящее из контактов, выполненных в виде стержней, соединенных с измерительным прибором, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью ускорения процесса измерения, упомянутые контактные стержни расположены внутри электромагнита неподвижно и отделены от его сердечника прокладкой.

382981

Составитель Н. Глеклер

Редактор Т. Загребельная

Техред Т. Миронова Корректор А. Дзесова

Заказ 1573i17 Изд. № 315 Тираж 743 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Устройство для измерения слаботочных параметров полупроводниковых изделии Устройство для измерения слаботочных параметров полупроводниковых изделии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх