Запоминающее устройство

Авторы патента:

Б. М. Алехов, Р. А. Лашевский , Н. Г. Тамарченко

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

Йоюз Советских

Социалистических

Респуолик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. 1(л. G 11с 11/08

Заявлено 29Х1.! 971 (№ 1674980/18-24) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

Опубликовано 2З.V.1973. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 7.VIII.1973

1(ок(итет по лелэк! иввбретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681. 327.6(088.8) Авторы изобретения

Б. М. Алехов, P. A. Лашевский и Н. Г. Тамарченко

Заявитель

ЗАПОМИНА10ЩЕЕ УСТРОЙСТВО и объедиие(ы П2 выходе lt3 пластины и шлейфы >. Ка)кдая из печатных разрядиых обмоток 4 пронизывает все отверстия столбца (1)ер ритовой пластины и с помощью объемных контактов 5;! Плоских контактпь!х площадок

6 объедпиепа с соответствующей разрядной

Обчотко I (тот же номер CTo÷()ö3) след)мощей ферритовой пластины.

Пло >и!с коитакт;!! !с пло!цадки располож(ИЫ С ОДИ O! f СТО ) Оп Ы I!,12 СТI! И hl, 3 ООЪCМ!! hl(.

КОИТЗКТЬ! вЂ” вЂ” H;1 П))0 i ИВОПО.IОЖ:!ОМ l(OHII((( (pугОи стор оп !>1 Ilл 1 cTII3! >1. Прl(ск лад(>lпа и и 1!

Ила Tl! H Плоск и с !((! 3Ò3!(TH hie и;1 ОП(3 I ки ll 00ъемиые контакты сос(дних п 23cT1iii совмещаются, в результате чсго об1)азуются Общие разрядиыс обмотки! ЗУ.

Запое(ива !Оп(ее vcTpo1!PTI30, содсрж а и(се х!Погоотверс(;!ые фсрритовые пластины с ра(ПОЛО)КЕПИ Ы МП Па HI(X HC>I;I TH I>! 31;! I l(C 10(IHI)if(И разрядными обмотками, отл! ча Оп!Ссс)! тем, что, с Heëhio улучшения ремонтоспо 00HocTH и повышеиия технолог;! II(0(TII, в нем од;(и концы разрядпых Об)lc)Toк расположены с одной стороны I 3)I(;(Oé пла(тины и выполнены в виде пло(ких контактных площадок, а другие концы этих обмоток ра;положены па противополож(!03! коице и с другой стороны пла1 1зобретенис относит я к области вычислительиой тсхцики и 3(ожет Оыть HcH01(>2 )1321!0 ПРИ ПОСТ!>ОсHliH X СТРО:!СТВ XP2HCHI(5i ДИ(.КРЕТиой ин(1)ормации.

Известны запомгп!ающие устройства (ЗУ), 5 содержащие мпогоотверстиые ферритовые пластины с расположcHHhfxii(ii2 иих печатными числÎпыми и разрядным)I обмотками.

11сль изобретения вЂ” улучшеиие pexioltTOспособ)ио:ти и повышение TexHoлогичности из- 10 вестных ЗУ иа миогоотверстиых ферритовых пластинах.

Зто достигастся тем, что Один концы разряlH(>!x об. тток размещень, с одной стороны каждой пластины и представляют собоц плоские контактные пло!цадки, а другие концы атilx Обмоток ре!сположеиы H3 HpoT(IBoHO. !0))(иом копцс и с другой стороны пластины и выполнены в виде объемных контактов, причем плоские контактные площадки it объемные I(oHTBITTI>1 соседних Itëàñòilí совх(ещеп!.!.

На чертежe поl(азаl!3 схема расположеп((я ферритовых властии, ч исловых и разр я 11!hi х

Обмоток, объемных и плоских контактов 32помина!ощего устройства и вид сооку пакет:! 25 ферритовых пластин.

Каждая ферритовая пластина 1 храпит ii iч)ОРмац!!!О всех Р3 P51, (013 исскольких чисел.

Печатные шсловые обмотки 2 проходят через отверстие двух строк на ферритовой пластине

Предмет изобретения

384135

Составитель Ю. Розенталь

Тсхред Т. Курилко

Редактор И. Грузова

Корректор М. Гарцевич

За к аз 2180, 14 Изд. М 1615 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по дел м изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4 5

Типография, нр, Сапунова, 2 стины и выполнены в виде объемных контактов, причем плоские контактные площадки и объемные контакты соседних пластин совмещены.