Запоминающий элемент

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ЛВтОРСКОМЮ СВИДИЕЛЬСта>

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства KЗаявлено 03.1.1972 (№ 1732470118-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 08.11.1973. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 11.IV.1973!

Ч. Кл. О 11с 11/08

Комитет по делам ивобретениб и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.6(088.8) Автор изобретения

Т. К. Цогоев

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предложенный элемент относится к области вычислительной техники и может быть использован в запоминающих устройствах цифровых вычислительных машин.

Известны запоминающие элементы (ЗЭ), содержащие многоотверстные ферритовые пластины, прошитые управляющими проводниками (разрядными и адресными).

Недостатками известных ЗЭ являются:

1) наличие паразитной емкостной связи адресного и разрядного проводников, следствием чего является низкоеотношение сигнал/помеха в разрядном проводнике при большой информационной емкости накопителя и крутом фронте импульса тока считывания;

2) разрядная обмотка накопителя, построенного из таких ЗЭ, представляет собой неоднородную длинную линию, что усложняет условия согласования ее и приводит к появлению в ней колебательных процессов.

Целью предложенного изобретения является повышение помехозащищенности известных ЗЭ, Поставленная цель достигается путем того, что стенки отверстий покрыты электропроводящей пленкой, соединенной с шиной нулевого потенциала, проложенной по одной из сторон пластины.

Предлагаемый запоминающий элемент, изображенный на чертеже, содержит многоотверстную ферритовую пластину 1 с адресными 2 и разрядными 3 отверстиями, прошитыми соответственно адресными 4 и разрядными 5 проводниками. Стенки разрядных отверстий покрыты электропроводящен пленкой б, соединенной с шиной 7 нулевого потенциала, проложенной по одной стороне пластины 1.

Электропроводящая заземленная пленка б, покрывающая стенки разрядных отверстий 3, является экраном, защищающим разрядные проводники 5 от емкостных наводок как со стороны адресных проводников 4, так и от внешних источников.

Кроме того, в накопителе, построенном на

15 предложенных ЗЭ, между разрядной обмоткой и заземленной пленкой 6 образуется распределенная емкость, повышающая однородность разрядной цепи как длинной линии. Это облегчает условия согласования разрядной

20 цепи с устройствами воспроизведения информации, считываемой с накопителя запоминающего устройства.

С целью уменьшения емкостной наводки на разрядные проводники 5, можно покрывать

25 электропроводящей пленкой, кроме стенок разрядных отверстий, еще и стенки адресных отверстий 2. Но в этом случае адресный проводник 4 должен быть выполнен в виде объемного изолированного провода или же в виде

ЗО печатного проводника, изолированного от эк369БЗО

Составитель Ю. Розенталь

Техред Л. Грачева Корректор E. Михеева

Редактор Б. Нанкииа

Заказ 823)10 Изд. № 1241 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

NocKBa, 5K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ранирующей пленки, покрывающей стенки адресных отверстий.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий многоотверстную ферритовую пластину, прошитую адресными и разрядными проводниками, отличающийся тем, что, с целью повышения помехозащищенности, стенки отверстий покрыты электропроводящей пленкой, соединенной с шиной нулевого потенциала, проложенной по одной из сторон пластины.