Способ измерения времени жизни неосновных

 

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

347699

Сани Советских

СаниалисfH4crvl>x

Республик

Зависимое от авт. свидетельства X"—

Заявлено 23.Х.1970 (Л! 1485143 26-25) с присоединеш!см заявки Лов

Приоритет—

С!пмбликовано 10.VI II.1972. Б!оллстепь М 21

М, Кл, G Olr 31!26

Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.2(088.8) Дата Опмбликoвяни!1 описан п!1 21 VI I I. 1972

Авторы изобретения

E .Ш. Вольфсон и Е. Я. Финкельштейн

Заявитель Институт электроники и вычислительной техники АН Латвийской ССР

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗЕ ГЕРМАНИЕВЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БЫСТРОДЕЙСТВУ1ОЩИХ ДИОДОВ

Изобретение относится к ооластп электронной техники п предназначено для измерения параметров полупроводниковых приборов.

Известен способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда, при котором измерения проводят на начальном линейном участке кривой зависимости полной эквивалентной емкости С, от тока прямого смещения прп условии Са«С,, где C„- — емкость барьерного перехода, С, — дпффузион)пая емкость. Для быстродеиствующпх диодов это условие на линейном участке нс выполняется.

Цель изоорстсния — повышение точност пзчерепий на низких частотах.

Цель достигается тем, что по предлагаемому спосооу определяют отношение максичальной емкости диода к соответствующей ей величине прямого тока с учетом зависимости времени жизни неосновных носителей от уровня пнжекции,и особенностей геометрии данного типа диодов.

Сущность описываемого спосооя заключ;1ется в следующем.

Для измерения времени жизни нсосповпых носителей заряда измеряют максимальну!о емкость диода и определяют соотвсству!ощую ей величипу прямого тока; искомый парачетр определяют по формуле макс

С т >

n IMaKC

ГДС )! — ОЭффпц1!Снт, М1!ИТ1аи111101ЦП!1 ЗаВПСН у!Ость В!зсчен!! Жпзн1! От уровня Illlæcl ö!11(п осооснностей гсомстрии данного типа диодов.

На фиг. 1 представлена олок-схема устройства, реализующего предлагаемый способ.

Устройство содержит испытуемый диод 1, разделительную емкость 2, измеритель емкости 3, усилитель напряжения 4, преобразователь 6 пилообразного напряжения в ток, двух-! р лучевой осциллограф 6.

Пнлообразнос напряже)п!с,развертки с выхода двухплсчсвого осциллографа 6 подается одновременно на успл;!тель 4 и прсобразователь 6 пилообразно)о напряжен!!я в ток пилообразной

1в формы. Ток, сформпровянньш прсооразовате,1сх1, протскя T чсрсз диод 1, линейно возрастая во време п; на выходе измерителя емкости 1 напряжение менястся во времени пропорциональFIQ зависпмост;1 полной эквивалентной ем20 кости диода от тока п, поступая 113 первый IIx0;I осциллографа, даст на экране соответствующую кривую.

Одновременно с выхода усилителя 4 пилообразное напряжс)шс подается на второй вход

25 осциллографа, в результате чего на экраачс осциллографа нябгподя!отся одновременно две кривыс, которые начинаются в один ll тот жс момент благодаря синхронности напряжений развертки ооеих кривых. Регулированием ко ð эффициента усиления усилителя пилообразного

Фиа /

Фиа 2

Составитель 3. Челнокова

Текред 3. Тараненко

Редактор и. Орлова

Корректор С, Сатагулов;!

Заказ № 3989 Изд. ¹ 1147 Тираж 406 Подписное

ЦНИИП11 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раугиская иаб.. и. 4/5

Загорская типография

1!1!11рижс1111я 11зл!Сн11ю! мы! 011л111лы10с 3!1и !е1!!IL напряжения таким образом, чтобы обе кривые пересеклись в точке максимума 1орнвой полной эквивалентной емкости (фиг. 2); время жизll;I отсчитывается по углу поворота ручки регулировки .максимального значения амплитуды ннлоооразного напряжения.

Предмет изобретения

Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряды в базе германиевых полупроводниковых быстродействующих диодов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения на низких частота.;, опрсделя!от отношение максимальной емкости диода к соответствующей ей величине прямого тока с учетом зависимости времени жизни неосновных носителей от уровня .ннжекции и особенностей геометрии каждого данного типа

IIIO;IOn.

Способ измерения времени жизни неосновных Способ измерения времени жизни неосновных 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх