Запоминающее устройство
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
337821
Союз Совотскик
Социвлистическиз
Рвспувлик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 16.1.1970 (¹ 1395857/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05.Ч.1972. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 6.VI.1972
М. Кл. G 11с 11/08
Комитет по долом изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 681.327.66(088.8) Автор изобретения
А. Е. Ашман
Заявитель
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к области запоминающих устройств.
Известно запоминающее устройство (ЗУ), выполненное в виде интегральных пластин из ферромагнитного материала, содержащих ячейки памяти, соединенные между собой перемычками. Однако в известных ЗУ существует магнитная связь между отдельными ячейками памяти через перемычки.
Описываемое ЗУ отличается от известного тем, что в нем перемычки между ячейками содержат модуляционные отверстия, прошитые проводом с насыщающим током, что позволяет предотвратить взаимное влияние между отдельными ячейками памяти.
На чертеже показана одна из возможных конструкций ЗУ, выполненного в виде интегральной пластины из ферромагнитного материала.
Интегральная пластина 1 содержит ячейки памяти 2. Каждая ячейка может иметь сложный разветвленный магнитопровод. Например, в пластине, показанной на чертеже, использованы ячейки со специальным методом выборочной записи и неразрушающим считыванием информации, имеющие высокую технологическую воспроизводимость и обеспечивающие возможность большой степени интеграции прн изготовлении пластин. Ячейки разделены между собой отверстиями а н б. Монолитность конструкции пластины обеспечивается конструктивными перемычками 8.
Вдоль оси каждой перемычки имеются, на5 пример, два модуляционных отверстия 4, через .которые проходит провод 5 с насыщающим током 1. Под действием этого тока в перемычках возбуждаются магнитные потоки, показанные на чертеже стрелками А. В силу
10 симметрии конструкции эти потоки целиком замыкаются внутри перемычек, насыщая последние; тем самым устраняется магнит| ая связь и взаимовлияние между отдельными ячейками памяти, 15 Количество модуляционных отверстий в каждой перемычке определяется конструкцией пластины ЗУ.
Предмет изобретения
Запоминающее устройство, выполненное в виде интегральных пластин из ферромагнитного материала, содержащих ячейки памяти, соединенные между собой перемычками, от25 личающееся тем, что, с целью предотвращения взаимного влияния между отдельными ячейками памяти, перемычки содержат модуляционные отверстия, прошитые проводом с насыщающим током.
337821! +ю ( (1 ! (J
1 -.Ã
Составитель В. Рудаков
Техред Л. Богданова
Редактор Е. Гончар
Корректор Л. Орлова
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 1541/16 Изд, Pfo 582 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5