Ждущий мультивибратор
ОП ИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Ссав Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
М. Кл. Н 031 3,/284
Заявлено 26.Х.1970 (¹ 1487620/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 25.XII.1972. Бюллетень № 4 за 1973
Дата опубликования описания 15.II.1972
УДК 621.373.531.1(088.8) Авторы изобретения
В. П. Иванов и Е. А. Мазуренко
Заявитель
ЖДУЩ И Й МУЛ Ы И В И БРАТО Р
Изобретение относится к импульсной технике.
Известен ждущий мультивибратор, выполненный на транзисторах одного типа проводимости с конденсатором, подсоединенным между коллектором н.з. -.ранзистора и базой н. о. транзистора, содержащий дополнительный транзистор другого типа проводимости.
Цель изобретения — уменьшение потребления энергии устройством и обеспечение независимости длительности выходных импульсов от частоты следования.
Цель достигается тем, что база дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, подсоединена через розистор к коллектору и. з. транзистора ждущего мульти ви бр втор а.
На чертеже показана принципиальная схема ждущего мультивибратора. Кдущий мультивибратор построен на основе известной схемы, содержащей транзистор 1, н. з. при отсутствии запускающих импульсов, и транзистор 2, н. о. при таком же условии. В коллекторную цепь транзистора 1 включена база дополнительного транзистора
8 другого типа проводимости. Конденсатор 4 служит времязгдающим элементом. Диоды б и б предназначены для компенсации остаточного падения напряжения на транзисторе 2.
Через резистор 7 на базу транзистора 1 подается отрицательный импульс запуска. Резистор 8 обеспечивает включение транзистора
1 по цепи полол ительной обратной связи.
Резисторы 9 и 10 шунтируют переходы база5 эмиттер транзистора 1 и дополнительного транзистор а 8 соответственно, обеспечивая закрытое состоянпс этих транзисторов в отсутствие входных запускающих импульсов.
Резистор 11 служит коллекторной нагрузкой
10 транзистора 1 и ограничивает ток базы дополнительного транзпстора 8. Резистор 12 является базовым сопротивлением транзистора 2. Резистор 18 служит коллекторной нагрузкой транзистора 8 и яьляется одновремен15 но нагрузкой ждущего мультивибратора.
В отсутствие входных запускающих импульсов транзистор 1 и дополнительный транзистор 8 закрыты, транзистор 2 открыт и конденсатор 4 заряжен до напряжения = Е, При
20 поступлении на вход схемы запускающего импульса транзистор 1 открывается, транзистор
2 закрывается на время формирования fy, определяемое постоянной времени времязадающей цепи, состоящей из конденсатора 4 и ре25 зистора 12; в это время конденсатор 4 разряжается через открытый транзистор 1 и резистор 12. В течение времени формирования t4 транзистор 1 Olкрыт по цспп положительной обратной связи, соответственно дополнптель30 ный транзистор 8 также открыт. После окон40
50 аином = фи + tB > чания формирования транзистор 2 открывается и закрывается транзистор 1, при этом конденсатор 4 начинает восстанавливать свое исходное состояние и заряжается через переход база-эмиттер транзистора 2, резистор 11 и переход база-эмиттер дополнительного транзистора 8. Величина сопротивления резистора 11 всегда может быть выбрана таким образом, что в течение некоторого времени в момент восстановления заряда конденсатора 4 дополнительный транзистор 8 открывается током перезаряда конденсатора 4. В этом случае длительность импульса 4, формируемого на резисторе 18, составляет: н — ф+ tà где t@ — длительность импульса, формируемого в коллекторе транзистора 2;
4 — интервал времени, в течение которого дополнительный транзистор 8 поддерживается в открытом состоянии током перезаряда конденсатора
4 в процессе восстановления его исходного заряда.
Очевидно, что величина 4 не зависит от частоты следования входных запускающих импульсов и определяет минимальную гарантированную длительность импульса, формируемого на выходе схемы. Действительно, если частота следования запускающего импульса увеличивается настолько, что конденсатор 4 в паузе между моментом открывания транзистора 2 и моментом поступления на вход следующего импульса запуска не успевает полностью восстанавливать свой начальный заряд, то уменьшается длительность составляющей (ф, а величина 4 при этом не изменяется, Отсюда следует, что для любой частоты следования запускающего сигнала справедливо выражение ином и((аап) tB где f„— частота следования импульсов запуска;
lф — длительность импульса, формируемого в коллекторе транзистора 2 при условии полного восстановления заряда конденсатора 4 в паузе между импульсами;
Л вЂ” величина, определяем ая частотными свойствами транзисторов 1 и 2 (предполагается, что величина,5
Зо
4 выбирается так, чтобы выполнялосг неравенство 4 » Л).
Если псриод следования импульсов запуска уменьшается настолько, что становится меньше величины t, Л, то на выходе схемы присутствует постоянное напряжение, равное на. пряжению источника питания Е, за вычетом остаточного падения напряжения на дополнительном транзисторе 8.
Точно так же дополнительный транзистор 8 открыт, если на входе устройства присутствует потенциальный сигнал, открывающий транзистор 1. В этом случае устройство формирует задержку отключения выходного напряжения, равную 1„относительно момента отключения открывающего входного потенциального сигнал а.
Таким образом, при соответствующем выборе величины t„, устройство служит либо для формирования временного .интервала с известной минимальной длительностью, либо для преобразования импульсного сигнала в сигнал постоянного тока, либо в качестве формирователя задержки отключения потенциального сигнала.
Ждущий мультивибратор на транзисторах
1 и 2, используемый для построения такого устройства, может быть выполнен и по другой схеме (например, по схеме ждущего мультивибратора на транзисторах одного типа про водимости с эмиттерной связью) . При этом важно лишь, чтобы транзистор 1 был закрыт в отсутствие импульсов запуска и открывался при их поступлении, а при восстановлении схемы через коллекторную нагрузку этого транзистора протекал бы ток перезаряда времязадающего конденсатора.
Предмет изобретения
Ждущий мультивибратор, выполненный на транзисторах одного типа проводимости с конденсатором, подсоединенным между коллектором н.з. транзистора и базой н.о. транзистор а, содержащий дополнительный тр анзистор другого типа проводимости, отлича ои ийся тем, что, с целью обеспечения малого потребления энергии и независимости длительности выходных импульсов от частоты следования входных импульсов, база дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, через резистор подсоединена к коллектору н.з. транзистора ждущего мультивибратора.
364078
Составитель В. Клюкин
Редактор Л. Мазуронок Техред Л. Богданова Корректоры: Л. Чуркина и А. Степанова
Заказ 176/9 Изд. ¹ 1049 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
