Импульсный мостовой генератор
363I88
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советсних
Социалистичесних
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. И 03k 3/02
Заявлено 26.I 1.1971 (№ 1627948/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делам изобретений и отнрытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 20.XII.1972. Бюллетень X 3 за 1973
Дата опубликования описания 27.II.1973
УДК 621.373.5(088.8) Авторы изобретения
Ю. В. Чирков и В. Ф. Лаврентьев
Заявитель
ИМПУЛЬСНЫЙ МОСТОВОЙ ГЕНЕРАТОР
Изобретение относится к импульсной технике.
Известный импульсный мостовой генератор, содержащий резистивно-емкостный мост, в диагональ которого включены два транзистора противоположных типов проводимости, включенных по схеме «транзистора с дополнительной симметрией», имеет недостаточную амплитуду выходного импульса, недостаточную скорость регенеративного процесса в начальный момент формирования фронта импульса, и низкую нагрузочную способность.
Цель изобретения — увеличение величины амплитуды выходного импульса генератора до величины напряжения источника питания, ускорение регенеративного процесса в начальный момент формирования фронта импульса и увеличение нагрузочной способности генератора.
Это достигается тем, что между базой транзистора и — р — и типа и коллектором транзистора р — и — р типа включена цепочка из параллельно соединенных диода и конденсатора, при этом с коллектором соединен анод диода; кроме того, между выходом генератора и нагрузкой включен нелинейный элемент в прямом направлении для выходного импульса.
На чертеже схематически представлен пример выполнения предлагаемого устройства.
Устройство включает в себя электронный мост, содержащий формирующий конденсатор
1 и три резистора 2, 8, 4; два транзистора 5 и б противоположных типов проводимостей, включенных по схеме «транзистора с дополнительной симметрией»; два диода 7, 8; конденсатор 9, нагрузку 10.
Устройство работает следующим образом.
Когда конденсатор 1 разряжен, а электрон10 ный ключ на транзисторах 5 и б закрыт, происходит заряд конденсатора 1 через резистор
2. Ток, текущий через этот резистор, создает на эмиттере транзистора 5, запирающий потенциал, превышающий по абсолютной величине
1S потенциал делителя, выполненного на резисторах 8, 4, в результате чего транзистор 5, а следовательно, и транзистор 6 закрыты.
По мере заряда формирующего конденсато20 ра 1 падение напряжения на резисторе 2 уменьшается, В момент сравнения потенциалов в точках 11 и 12, с точностью до величины порога отпирания транзистора 5, происходит его приоткрывание, а, вследствие положи25 тельной обратной связи, — приоткрывается и транзистор б. В результате такого регенеративного процесса происходит лавинообразный процесс, и потенциал на коллекторе транзистора 6 повышается приблизительно от нуля
363188;
П редм ет изобретения
Составитель А, Горбачев
Техред Т. Ускова
Корректоры: Л. Бадылама и Г. Запорожец
Редактор А. Батыгин
Заказ 302/15 Изд. Мо 55 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 до величины напряжения питания, образуя выходной импульс. Конденсатор 1 начинаег разряжаться через коллекторно-базовые цепи транзисторов 5 и б. После разряда конденсатора до определенного напряжения, определяемого в основном нагрузкой 10 устройства и параметрами транзисторов 5, б, происходит обратный лавинообразный процесс запирания транзисторов. Импульс на выходе устройства заканчивается. Вновь начинается заряд конденсатора 1 через резистор 2, и упомянутые процессы повторяются.
Диод 7 убирает постоянный потенциал на выходе устройства. Конденсатор 9 служит для увеличения скорости формирования фронтов импульса, имеет небольшую величину емкости (десятки тысячи пикофарад). Диод 8 предназначен для автоматического отключения нагрузки 10 в начальный момент формирования импульса за счет того, что величина сопротивления кремниевого диода в этот момент велика.
1. Импульсный мостовой генератор, содержащий резистивно-емкостный мост, в диагональ которого включены два транзистора противоположных типов проводимости, включенных по схеме «транзистора с дополнительной симметрией», отличающийся тем, что, с целью увеличения амплитуды выходного импульса ге10 нератора до величины напряжения источника питания, между базой транзистора п — р — n типа коллектором транзистора p — n — р типа зключена цепочка из параллельно соединенных диода и конденсатора, при этом с коллек15 тором соединен анод указанного диода.
2. Импульсный мостовой генератор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью ускорения регенеративного процесса в начальный момент
11ормирования фронта импульса и увеличения
20 нагрузочной способности генератора, между выходом генератора и нагрузкой включен нелинейный элемент в прямом направлении для выходного импульса.
