Мультивибратор
s
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
3б4077
Союз Советских. Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н 03k 3/28
Заявлено 30.1V.1970 (№ 1434667/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делом изобретений и открытий при Сввете Министров
СССР
УДК 621.373.52(088.8) Опубликовано 25.Х!!.1972. Бюллетень № 4 за 1973
Дата опубликования описания 15.II.1972
Авторы изобретения
P. Д. Иванцив и В. M. Тафель
Заявитель
МУЛЬТИВИЬРАТОР
Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано для генерирования импульсов прямоугольной формы.
Известен мультивибратор, содержащий два усилителя с р азделенной коллекторной нагрузкой, охваченных коллекторно-базовыми обратными связями, и защитные диоды, включенные в базовые цепи транзисторов усилителей.
Недостаток известного мультивибратора состоит в нестабильности частоты генерации вследствие замедления лавинообразных процессов.
Для увеличения стабильности частоты генерации в предлагаемом мультивибраторе средняя точка разделенной коллекторной нагрузки каждого транзистор а соединена дополнительным ускоряющим конденсатором с базой другого транзистора.
На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора.
Мультивибратор содержит два усилителя, выполненных на транзисторах 1 и 2, охваченных коллекторно-базовыми обратными связями,. Коллекторные нагрузки усилителей разделены: нагрузкой первого усилителя являются резисторы 8; 4, второго — резисторы 5; б. В базовые цепи транзисторов 1 и 2 включены защитные диоды 7 и 8 соответственно; смещение на базы подается через резисторы 9; 10.
На схеме показаны такие времязадающие резисторы 11; 12, времязадающие конденсаторы 18; 14, ускоряющие конденсаторы 15; 16.
5 Средняя точка разделенной коллекторной нагрузки транзистора 1 соединена ускоряющим конденсатором 15 с базой транзистора 2, а средняя точка разделенной коллекторной нагрузки транзистора 2 соединена ус10 коряющим конденсатором 16 с базой транзистора 1.
Мультивибратор работает следующим обр азом.
15 Пусть транзистор 1 закрыт, а транзистор
2 — открыт. Конденсатор 14 разряжается, и ток разряда создает на резисторе 11 падение напряжения, запирающее диод 7. Конденсатор 13 разряжен, диод 8 открыт. Величина
20 сопротивлений резисторов 10; 12 выбирается так, что на базе транзистора 2 создается отрицательное напряжение, поддерживающее транзистор 2 в состоянии насыщения. Ток разряда конденсатора 14 уменьшается, и в
25 какой-то момент времени напряжение на базе транзистора 1 становится отрицательным.
Транзистор начинает отпираться; положительный перепад напряжения с его коллектора через конденсатор 18 поступает в базовую
30 цепь транзистора 2, уменьшая его ток базы.
364077
Предмет изобретения
Составитель Г. Челей
Редактор Г. Котельский
Техред Л. Богданова
Корректоры: И. Божко и Л. Царькова
Заказ 176/8 Изд. ¹ 1049 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делаги изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Отрицательный перепад напряжения с коллектора транзистора 2 через конденсатор 14 поступает в базовую цепь транзистора 1 и еще больше увеличивает базовый и соответственно коллектор ный ток тр анзистор а 1.
Этот процесс происходит лавинообразно; после его окончания транзистор 1 оказывается открытым, а транзистор 2 — закрытым, поскольку разрядный ток конденсатора 13 создает падение напряжения, запирающее диод 8, и к базе транзистора 2 прикладывается запирающее напряжение + E«.
Очередное опрокидывание мультивибратора происходит аналогичным образом.
Время выключения транзисторов определяется параметрами мультивибратора и может быть уменьшено до необходимого значения выбором соответствующей величины емкости ускоряющих конденсаторов 15; 16 и сопротивления резисторов 8; 4 и 5; б разделенных коллекторных нагрузок. Уменьшение времени выключения транзисторов увеличивает ста5 бильность генерируемых колеоаний.
Мультивибратор, содержащий два усилите10 ля с разделенной коллекторной нагрузкой, охваченных коллекторно-базовыми обратными связями, в базовые цепи которых включены защитные диоды, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности частоты ге15 нерации, средняя точка разделенной коллекторной нагрузки каждого транзистора соединена дополнительным ускоряющим конденсатором с базой другого транзистора.

