Запоминающее устройствоscixtfsf?!•' l.

33l425

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, Союз Ссветскив

Социалнстнческй|т

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено IО.VI I.1970 (№ 1466814 8-24) с присоединением заявки ¹-Приоритет—

Опубликовано 07.1ll.1972 г. Бюллетень ¹ 9

Дата опубликования описания -1Л .!972,Ч.Кл. G 11с 27/00

Комитет по репам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения

A. Д. Бех

Институт кибернетики AH Украинской ССР

3 а явитель

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Магнитопленочные запоминающие устройства известны. Для переключения запоминающих элементов используются плоские числовые и разрядные шины, проложенные во взаимно перпендикулярных направлениях.

В известных магнитопленочных запоминающих устройствах вследствие емкостной связи между числовыми и разрядными шинами характерен высокий уровень адресных помех на входе усилителя считывания. Компенсацшо помех осуществляют с помощью прокладки компенсационных разрядных шин над участками матрицы, не содержащих запонимающих элементо в. .Компенсационные разрядные шины, не охватывающи е запоминающих элементов, занимают половину площади матрицы. Плотность запоминающих элементов, таким образом, оказывается нитке воз|можной в два раза. Вследствие этого для построения накопителя заданного информационного объема требуется в два раза больше матриц, что увеличивает стоимость устройства и усложняет сборку.

Предлагаемое устройство позволяет вдвое увеличить плотность расположения запоминающих элементов,в матрице, что достигается перемещением компенсационных разрядных шин,на запоминающие элементы и добавлением дополнительных компенсационных шин.

На высвободившейся от вспомогательных разрядных шин площади матрицы располагаются запоминающие элементы.

На чертеже изображено предлагаемое запоминающее устройство.

5 Оно состоит нз,полу проводникового дифференциального усилителя считывания 1, накопителя 2, содержащего тонкопленочные матрицы, формирователей записи 3. Поверх запоминающих элементов матриц расположен ны рабочие разрядные шины 4 и отделенные небольшим зазором в той же плоскости, что и рабочие шины, компенсационные разрядные шины 5. Перпендикулярно к этим шинам пад запоминающими элементами проходят число|5 вые шины 6, поверх которых располагаются дополнительные компенсационные шины 7.

Ширина шины 7 равна суммарной ширине шин 4п5.

Импульс числового тока создает на выб2:,> раиной числовой шине 6 падение напряжения.

Часть числового тока через емкость элементарных конденсаторов, образованных пересечением числовой и разрядных шпн ответвляется в разрядные шины. Так как шины 4, 5, 7 расположены на одинаковом расстоянии от числовой шины 6, то емкость шины 7 относительно ши ны составляет С| —— С + Сз, где С, Сз соответственно емкости шин 4 и 5 относительно шины 6. Ток,1ь поступивший через емкость

;o C> на шину 7, создает на сопротивле|ши на331425

RI! ! ! ! ! ! ! ! ! !

Составитель В. Михеев

Тсхред A. !(агиыгииикова

Корректор Л, Царькова

Редактор Е. Гончар

Заказ 1551 1Лзд. ¹ 318 Тираж 448 Подиисиое

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мипистров1 СССР

Москва, )К-35, Рау)иская паб., д. 4/5

Загорска>т типография

I !)т VNII 3TOII Шины IIEIII!)51)14VIIIIC IIO)leXIE U;

/1т(1> ток шины д Ув — (/з =j R>> a ток шины 4 создает напряжение Ь1 =И(1. Поскольку ве:I.è÷èIIà тока определ51ется величиной емкости, то 11 — — 1„.-1-./ и U-,= Ь 4+ У„.-. Шины 4 и 5 подаются па вкоды транзисторов Т1 и Т2, шина 7 подключена к транзистору Т4 противоположllol o плеча. При одинаковом коэффициенте усиления транзисторов напряжс)ше помс.л иа выходе усилителя считываии51 отсутствует.

На шинах 4, 5, 7 трансформируется одинаковое напряжение считанного сигнала. Папр»жения сигналов с шин 5 и 7 взаимно вы питаются дифференциальным усилителем 1, на выходе которого появляется усиленный сигнал, полученный только с рабочей разрядной шиI l Ы.

Компенсация разряднык помек, создзваемык íà IIIHHBx 4, 5 током от формирователя записи 5, достигается подк>иочснисм к уснли4 тслlо считыпани5! Тр11нзисторов 11, Тз, Т3 и разряднык шин 4, 5> 7, идущих со второй половины накопителя.

5 Предмет изобретения

Запоминающее устройство, содержащее тонкопленочнуlo матрицу магнитнык запонимающи.: элементов с >1исловы)1И, рабочими и камне>нсационными разрядными шинами, подключенну о к полупроводниковому дифференциальному усилителю считывания, отличпющееся тем, что, с целью увеличения плотности размещения запоминающик элементов в матpI1IIax, оно содержит дополнительные компенсационные разрядные шины и транзисторы, включенные в противоположные плечи дифференциального усилителя, а базы этих транзисторов подключены к дополнительным компенсационным разряд)1ым шинам.

1 ! ! ! ! !

F ! ! ! ! !

1»