Тонкопленочный элемент памяти

30845 9

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 31.1Н.1970 (№ 1425021/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01 VII.1971. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 30ХП1.1971

МПК G 11с 11/14

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 681.327.6(088.8) котена 114 д

Авторы изобретения

В. А. Теряев, В. А. Волкова, Н. П. Галухина и Г. Н. Амосова

Заявитель

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Предмет изобретений

Данное изобретение относится к области запоминающих устройств, в частности, к средствам производства элементов памяти.

Известен способ получения тонких магнитных пленок, Способ состоит в осаждении на подложку посредством испарения в вакууме по меньшей мере одного слоя хрома и слоя кобальта, покрывающего слой хрома. Процесс нанесения этих слоев должен происходить при строго определенной температуре, а именно

300 С для кобальта и 250 С для хрома. Коэрцнтивная сила Н, при этом способе зависит от скорости осаждения слоев, от их толщины и от времени осаждения. Особенно важным фактором является скорость и толщина осаждения кобальта, которые должны строго конTpoJIHpoBBTbcH. Получаемые таким способом пленки имеют большие значения величины Н, (до 1000 э) и для оперативной памяти применяться не могут, так как требуют больших токов переключения.

Целью данного изобретения является получение магнитных пленок с высокой (до 20 э) коэрцитивной силой.

Сущность способа заключается в том, что магнитный слой напыляют на подслой моноокиси германия (GeO). Для этого на подложку (стекло, алюминий) при 300 — 350 С из испарителя типа «лодочка» напыляют подслой моноокиси германия толщиной 8000—

10000А, затем напыляют магнитный слой необходимой толщины. В магнитных пленках, напыленных на подслой моноокиси германия, увеличение Н, достигается за счет неоднородности магнитной пленки, вызываемой диффузией пермаллоя в пористую пленку моноокиси германия.

Данный способ является простым, не требует строгого контроля толщины слоя GeO, скорости осаждения, температуры и времени напыления. Повторяемость процесса при из15 готовлении пленок таким способом значительно возрастает.

Тонкопленочный элемент памяти, содержащий магнитную пленку нанесенную на подложку напылением в вакууме, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэрцитивной силы магнитной пленки, между пленкой и подложкой нанесен слой моноокиси германия, например, вакуумным напылением;