Матрица магнитной намяти

OllNCAHNE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

IK АВУОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Соеетскик

Социелмстичсскик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

МПК G 11c 11/14

Заявлено 08.XII.1969 (¹ 13821441!8-24) с присоединением заяв ii М

Приоритет

Опуоликовано 04Л 1.1971. Еюллетень <¹ 18

Дата опуоликования описания 16.VIII.1971

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Мииистрав

СССР

УДК 681.327.025 (088.8) Авторы изобретения

А. П. Вахмистров, А. A. Зельдин и С. А. Живулин

Заявитель

МАТРИЦА МАГНИТНОИ ПАМЯТИ размещены в виде рамок-параллелограммов из монокристаллнческой ферритовой пленки, элементы памяти 2.

Стороны рамок ориентированы по осям легкого намагничпва..ия.

Матрица магнитной памяти на немагнитной плате с отверстиями, отличающаяся тем, что, е целью уменьшения величин управляющих токов и сигналов помех, элементы памяти для хранения информации выполнены в виде рамки из монокриста I;IH веской ферритовой пленки а стороны рамок ориентированы по осям легкого намагничивания ферритового монокристалла.

Изобретение отчосится к области запоминающих устройств. Известна матрица магнитной памяти на немагнитной плате с отьерстиями.

Однако известная матрица требует дополнительных аппаратурных затрат.

Отличием предлагаемой матгицы является то, что элементы памяти выполнены в виде рамок из монокристаллической ферритовой пленки, стороны которых ориентированы по 10 осям легкого намагничивания ферритового монокристалла.

Это позволяет увтеньщить величины 3 i1pHBляющих токов и сигналов помех.

Конструкция предлагаемой матрицы по; а- 15 вана на чертеяе.

На подлояке 1 из немагнитното монокристаллического вещества (например, МgO) Предмет изобретения

305508

Состзвитель М. Зимина

Редактор Ю. Полякова Тсхрсд А. А. Камышникова Корректор Н. Рождественская

Заказ 1969/17 Изд М $5(j Тираж 479 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2