Усилитель мощности
3I3 280
СОЮЗ СОе>етсхил"
СОциилистичееиих
Реепублии
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое От HBT. сВидетельстВа J¹
Заявлено 09Х11.1969 (№ 1346074/26-9) .ЧПК H 03f 3/20 с присоединением заявки ¹
Приоритет
Кс1иитет ие деле!и ие!1 -!1е>теиий и ет!!!тытий ври Сееете Ыи!!E;ij!I!â
Опубликовано 31.VIII.1971. Бюллетень № 26
Дата опубликования описания 19.XI.1971
УД1 621.375.127(088.8) АВТ0Р изобрете !Ия
Г, И. Коптев
Заявитель
Московский ордена Ленина энергетический институт
УСИЛИТЕЛЪ МОЩНОСТИ
Предлагаемое изобретение относится к радиотехническим у стройстВ ам и >!Ожет II BI!TH !
IpIIucIie»Hс в генераторах синусоидального тока, например в радпопередающей аппаратуре.
Известны усилители мощности, выполненные на двухтактной схеме усилителя на транзисторах раз 010 типа проводимости.
Недостатком известны.;. усилителей является сильная з;BHcHмость формы выходного тока от формы Входного напряжения. Для получения выходного тока спнусоидальной фор.>!Ы НЕООХОДИМО ООЕСПЕЧИТЬ COOTBBTCTBi IОЩУIО форму Входного напряжения, что не всегда
ВО3;1О:КНО.
С целью улучшения подавления высших гармо:IH-; гыходного тока, более равномерного распределения нагрузки по неидентичны,, p — и — р и и — р — и транзисторам при B03zeHствии на входе периодичсского сигнала произвольной формь1, 110 преимущественно близкой к синусоидальной, в предлагаемом усили.еле между общей точкой соединения эмиттероВ 0 — и — -p и и — p — и транзисторОВ и землеll включен последовательный LC-конгур, настооенный на астоту входного напряжения.
На чертеже дана принципиальная схема предлагаемого устройства.
Входное напряжение приложено между базовым 33» 6, 7 на коллекторы транзисторов поданы напряжения питания от источников 8, и. Раздс5 HTL;IBIIblP. c. >! I oc > EI 10, 11 p33BH3blBBIQT к03лекторы по постоянному напряженшо и сосдиняют Iix с общей нагрузко1! 12. Индуктивность 1 т и емкость 14 образуют последова i елbllbll! резонансный контур IIBcTpOpHHbl!E на 10 гастоту входного напряжения. При наличии на входе напряжения с часгото резонанса индуктивности 13 и емкости 14 в последнем возбу кдаются колебания тока по тти синусондальной формы, причем одна 15 по".óB03íà "-T-îãî тока является эмиттерным током р — zz — p транзистора, другая — эмнттерным током 2 — р — zã транзистора. Поскольку полуволны спнусоидального тока и;IcloT раГ>н 10,,,!;ITB :ьность н амп >Iитуду, ко. 1лек20 -орный ток любого транзистора незначительно отличается от его эмиттерного тока, то .1остигастся почти одинаковая полусипусо-! 1äBrIbIIBÿ форма коллекторных токов транзисторов 4, 5 н. следовательнО, равномерн;!я нх нагрузка, незаш1симо or параметров транзпi T0!J0B. Ь Н I p>> 3кe 12 E!03, BO;I Ilb! Ko I;iCIITO 1токов складываются, образуя практическll сннусо!!да.ibiib .II TQK, что позволяет В ря„е случаев отказаться от фильтра высших 30 1 ар >ioliilii н", вы.;.Оде, поскольк> уроьснь ка! . 313280 Предмет изобретения Составптсль Л. Рубинчик Тсхрсд Л. В. Куклина Корректор Н. С. Шевченко Редактор T. Морозова Заказ 3262/7 Изд. № 1368 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Я-35, Раугиская наб., д. 415 Типография, пр. Сапунова, 2 четных, так и нечетных гармоник суммарного тока очень мал. Угол отсечки коллекторных токов, равный 90 и являющийся оптимальным для мощных усилителей, устанавливается в этой схеме автоматически, следовательно, его регулировка, осуществляемая в мощных усилителях обычно с помощью внешнего смещения, не требуется, что упрощает схему. Усилитель мощности, выполненный по двухтактной схеме на транзисторах разного типа проводимости, базы, эмиттеры и коллекторы которых соответственно соединены между собой непосредственно или через разделительные цепи, содержащий источник напряжения возбуждения, источники питания, под5 соединенные к коллекторам транзисторов Ie рез дроссели, и общую нагрузку, подключенную к коллекторным цепям транзисторов через разделительные конденсаторы, отличаюи цйся тем, что, с целью равномерного расlO пределения нагрузки по транзисторам и улучшения формы выходного напряжения, между общей точкой соединения эмиттеров транзисторов и землей включен последовательный LC-контур, настроенный на частоту входного 15 иапрянсения
