Измеритель электрофизических свойств полупроводниковых слоев

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

3I3I80

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 07.1V.1969 (№ 1324264/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 31.V I l 1.1971. Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 18.Х.1971

МПК G Olr 31/26

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министаое

СССР

УДК 621 382.3(088.8) ВСЕСОЮЗНАЯ

hA ХРМ-И ХИН Е".ЯМЯ

БИБДИОТ1НА

Авторы изобретения

Э. Э. Аболтинь и Я. С. Стикут

Заявитель

Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР

ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ

Изобретение относится к измерительным устройствам для бесконтактного измерения электрофизических свойств слоев полупроводниковых структур или однородных полупроводниковых материалов без разрушения образца и может быть использовано на предприятиях радиоэлектронной промышленности.

Известны СВЧ-устройства для измерения электрофизических свойств полупроводников, в которых образец помещается в волновод, и по параметрам стоячей волны определяются свойства образца.

Недостатком таких устройств являются влияние на точность измерений небольших изменений зазоров между образцом и стенками волновода, возникновение контактных явлений при соприкосновении образца со стенкой волновода, а также низкая чувствительность при измерениях соответствующих свойств слоев.

Цель изобретения вЂ” уменьшение влияния небольших изменений зазоров, исключение контакта образцов с металлическими частями волновода и повышение чувствительности измерений с регулировкой ее в больших пределах.

Для достижения цели в конце волноводного тракта крепится механизм для перемещения исследуемого образца, который позволяет создать зазор постоянной величины между полупроводниковым образцом и волноводным щелевым излучателем (концом волновода). Наличие диэлектрических стерженьков позволяет исключить омический контакт образца с механическими частями волновода. Образец мо5 жет иметь любую форму, а в результате выбора определенного зазора между образцом и волноводом создается возможность увеличения чувствительности измерений на несколько порядков, что объясняется трансформацией

10 точки вносимого импеданса в удобную для измерения область.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена схема описываемого устройства, содержащего СВЧ-генератор

15 1, индикаторный блок 2, волноводный щелевой излучатель 8, к которому крепится механизм 4 для перемещения образца 5 и создания определенного зазора b, между образцом

5 и щелевым излучателем 8. Для измерений

20 исследуемый образец накладывается на диэлектрические стерженьки 6 механизма 4 для перемещения образца.

Путем поворота гайки механизма 4 для перемещения образца достигается определенная

2 ширина зазора b между образцом и волноводным щелевым излучателем.

Выбор ширины зазора b рассчитывается теоретически или подбирается экспериментально для каждого случая для нахождения зо наибольшей чувствительности измерений. По индикаторному устройству 2 определяются

313180

Составитель A. Б. Пирожников

Редактор И. A. Орлова Техред А; А. Камышникова Корректор 3. И, Тарасова

Заказ 2Ь95/5 Изд. № 1201 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 параметры стоячей волны в волноводе и, соответственно, свойства образца.

Данное устройство может быть использовано для особо точных измерений электрофизических свойств слоев полупроводниковых структур или однородных полупроводниковых материалов, Предмет изобретения

Измеритель электрофизических свойств полупроводниковых слоев, содержащий СВЧ-генератор, индикаторнгяй блок, волноводньш щелевой излучатель, отличающийся тем, что, с целью значительного повышения чувствительности измерений, исключения контакта образцов с металлическими частями волновода,, а также уменьшения влияний небольших изменений зазоров на результаты измерения, в конце волноводного тракта закреплен механизм перемещения образцов для установле|шя постоянного зазора между образцом и волноводным щелевым излучателем.

Установка для проверки параметров транзисторов // 311317

Устройство для разбраковки транзисторов // 311224

Способ определения поверхностного потенциала // 308390

Устройство для измерения пробивных напряжений полупроводниковых приборов // 307360

Способ измерения эффективного времени // 306512

Способ определения влагозащитных свойств изоляционных материалов // 305525

Устройство для измерения характеристик переходов полупроводниковых приборов // 304864

Классификатор полупроводниковых приборов // 296180

Устройство для снятия вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов // 280684

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349