Библиотека \

2990IO

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 29.IV,1968 (№ 1235716/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 16.I I I.1971. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания 29.IV.1971,ЧПК Н 03b 3l00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

У ДК 621.373.42 (088.8) л,-, 1

Автор изобретения

ПЛТаИ).,,, „,, БИБЛ11О Т Е:;- ;А

Г. И. Коптев

Московский ордена Ленина энергетический инстит

Заявитель

ГЕНЕРАТОР ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ

С ВНЕШНИМ ВОЗБУЖДЕНИЕМ

Изобретение относится к радиотехническим устройспвам и может найти применение в качестве усилителя мощ ности или мощного умножителя частоты в радиопередающей аппаратуре.

Известны генераторы гармонических колебаний " внешним возбуждением, выполненные в виде и транзисторов, включенных по параллельной схеме на общую нагрузк у, в которых для обеспечения автоматического симметрирования режимов транзисторов, имеющих неидентичные .параметры, iB цепи эмиттеров включены омические cclllротивления обратной связи по постоянному току, заблокированные емкостями.

Недостаток известных устройств состоит в том, что они яе обладают достаточной выходной мощностьк и не обес|печивают высокой степени симметрии.

Цель изобретения — повысить выходную мощность устройства lH улучшить симметрирование в режиме с отсечкой коллекторного тока.

Это достигается тем, что эмиттеры транзисторов соединены между сооой реактивными сопротивлениями, например, индуктивностям и, общая точка которых подсоединена к земле через реактивное сопротивление противоположного характера, например, конденсатор.

Величины индуктивностей по модулю равны между собой и в и раз больше величины емкости.

Кроме того, параллельно участкам базаэмиттер транзисторов устройства включены диоды анодами к базам транзистороз.

На чертеже приведена принципиальная схема устройства.

Транзисторы 1 включены параллельно по коллекторным и базовым цепям. Реакпивные

10 сопротивления 2, включенные в эмпттерные цепи, превосходят сопротивления участков эмиттер-база по крайней мере в несколько раз. Реактивное сопротивление 8 имеет противоположный сопротивлениям 2 характер реак15 тив ности. и по модулю в rz раз меньше каждого из н их.

Вместо диодов 4 могут быть включены параллельные колебательные контура, настроенные на частоту:напряжения возбуждения (н". схеме не показаны). Индуктивность 5 служит дросселе м.

При наличии напряжения возбуждения на базовой шине через colIIpoTHBëcíèÿ 2 протекают синусоидальные токи практически одинако2> вой величины независимо от разброса параметров транзисторов. В режиме без отсечки обе:полувогтны этих токов протекают далее через эмпттеры транзисторов. При этом за счет сопротивлений 2 обеспечивается вырав ниванпе только токов первой гармоники и не обеспечи299010

Предмет изобретения

Составитель A. Мерман

Техред Е. Ф. Борисова

Редактор Э. Н. Шибаева

Корректор Л. А. Царькова

Заказ 132/494 Изд. № 350. Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» ваегся выравнивание постоя нных составляющих эмиттерных токов. В режиме с отсечкой положительная .полуволна указанных токов протекает через эмиттеры транзисторов, а отрицательная — через диоды 4. Посколыку вплоть до самых высоких частот импульсы коллектор ного и эмиттерното TQKoB мало отличаются по величине и форме, то и в коллекторных цепях импульсы тока оказываются практически одинаковыми у всех транзисторов 10 каскада. Этим обеапечивается одновременное симмегрирова н ие постоянных составляющих, а также амплигуд и фаз гармонических составляющих коллекторных токов.

Сопротивления 2, обеапечивающие эффект 15 симметрирава н ия, могут быть как емкосгными, та к и индукпивными. Сопротивление 8, противоположное по характеру реактивности, усграняет отрицательную обрат ную связь, возникающую за счет сопротивлений 2 и резко 20 ан ижающую усиление каскада. Полная компенсация этой обрагной связи в случае неидентичных транзисторов наступает при Хз= х» —, где Хв и Хз — соответственно величины

IL сопротивлений 2 и 8. При неидентичных транзисторах;возможно незначительное отклонение от указа нного равенства, не нарушающее работу схемы.

Рассмогрим подробнее функции диодов 4.

Во-первых, пропуская отрицательную полуволну тока, они сохраняют колебательный характер конгу ра в цепи эмиттеров, что необходимо для обеапечен ия косинусоидальной формы им)пульсов коллекторного то ка, требуемой

Во-вторых, они обеспечивают выравнивание коллекторных токов ка к по первой гармонике, так и по постоянной составляющей, а также по высшим гармоникам, причем послед,нее важно для работы каскада в режиме умножения частоты.

В-третыих, диоды 4 ограничивают об ратное на пряжение эмиттер-база, что необходимо для высокочастотных гранз исторoiB, имеющих весьма низкое предельно допустимое зна чение указанного напряжения.

В-четвертых, диоды 4 совместно с дросселем 5 образуют. путь для отвода.постоян ных составляющих эмиттерных токов на землю.

В-.пятых, наличие диодов 4 обеапечивает режим работы всех тра нзисторов с углом отсечк и 90, который является о птимальным для мощных усилителей, а при некоторых условиях и для удвоителей частоты.

1, Генератор гармо нических колебаний с внешним возбуждением, содержащий и параллельно включенных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью по1вышения,выходной мощности, эмиттеры тра нзисторов .соединены между собой реактивными сопрогивлениями, на пример, и ндуктивностями, общая точка которых подсоединена к земле через реа ктивное сопротивление противоположного ха рактера, например конденсатор, при этом величины сопротивлений индукгивностей по модулю разны между собой и в п раз больше величины сопротивления емкости.

2. Генератор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью ул учшения симметрирава ния iB режиме с отсечкой коллектарного тока, параллельно участкам база-эмиттер указанных транзисторов включены диоды анодами к базам транзисторов.