Вакуумный пинцетпатгнт^ш-;:х;':г::;'':''i б'--;бл;'1отг; :'.л i

 

О П И CA Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

294I99

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 03.111.1969 (№ 1311342/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.1.1971. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 20Х.1971 !ПК Н Oll 7/68

Комитет по делам изобретеиий и открытий лри Совете Министров

СССР х ДК 621,385.832;621.86..061 (088.8) Авторы изобретения E. T. Гаркавик, О. М. Чигринский, Л. Г. Шейход и С. И. Быков

3 а я»в и тел ь

BCF. 0 =»- .ВАКУУМНЫЙ ПИНЦЕТ

Предмет изобретения

Пинцет предназначен для использования при производстве полупроводниковых приборов, может быть применен и в других областях техники, например в приборостроении.

Известны различные ва куумные пинцеты для захвата и переноса полупроводниковых кристаллов при сборке полу проводниковых приборов, а также при разбраковке кристаллов после разделения полупроводниковых пластин на кристаллы.

При пользовании известными пинцетами оператор должен ме нять положение руки при переходе от операции захвата к операции укладки кристалла»в тару. При этом приходится каждый раз нацеливать иглу на следующий кристалл, что утомляет глаза и снижает производительность труда.

Цель изобретения — повышение производительности труда, увеличение надежности захвата и расширение технологических возможностей вакуумного пинцета. Достигается она тем, что в предлагаемом пинцете предусмотрен бункер для сброса деталей, например кристаллов, с заборником, соединенный шлангом с вакуумной системой посредством золотника, который обеспечивает переключение вакуума с наконечника пинцета на заборник бункера.

На чертеже представлен ва куум ный пинцет.

В передней части сигарообразного корпуса

1 имеется золотник 2. Корпус заканчивается полым наконечником 8. Внутри корпуса имеется полость 4, которая соединена с одной стороны с полой иглой, а с другой через штуцер 5 — с вакуумной системой.

Кроме того, пинцет снабжен бункером 6, смонтированным в корпусе 7. С одной стороны бункера имеется заборник 8 в виде трубки, с другой стороны — шланг 9 для соединения с вакуумной полостью 4 корпуса пинцета.

10 Работает пинцет следующим образом.

При нажатии пальцем на головку золотника 2 включается вакуум на наконечник и происходит захват кристалла. При снятии пальца золотник под действием возвратной пружины

15 поднимается и переключает вакуум с иглы на заборник бункера. В этот момент кристалл, удерживавшийся ранее наконечником и поднесенный к заборнику бункера, отрывается от иглы и через заборник поступает в бункер.

Вакуумный пинцет, содержащий полый наконечник для захвата деталей, корпус с ва25 куумной полостью, бункер для сбора деталей, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и увеличения надежности захвата, наконечник и бункер связаны с вакуумной полостью независимыми каналами с

30 золотником для последовательного переключения вакуума с наконечника на бункер. лодд твой

cmene

Составитель В. Гришин

Техрсд Jll. В. Куклина Корректор Е. И. Миронова

Редактор Б. Б. Федотов

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1263!16 Изд. 563 Тираж 473 Подпи снос

ЦНИИПИ Комитета по делам пзобретсии11 и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская паб., д. 4, 5

Вакуумный пинцетпатгнт^ш-;:х;:г::;:i б--;бл;1отг; :.л i Вакуумный пинцетпатгнт^ш-;:х;:г::;:i б--;бл;1отг; :.л i 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх