Держатель для крепления полупроводниковыхприборов

 

288I57

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Соцналнстических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 04.Х11.1968 (№ 1288171/26-25) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет—

Опубликовано ОЗ.Х11.1970, Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 9.111.! 971

Кл. 21g I I/02

Комитет по делам наобретений и открытий лрн Совете Министров

СССР

ЧПК Н Oll 7/68

УДК 621.382.3(088.8) Авторы изобрете.ния

Г. Д. Хамбур и Р. В. Яковлев с

Ленинградское производственное объединение «Краснаа заря»

Заявитель

ДЕРЖАТЕЛЪ ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно — к креплению транзисторов к монтажной плате.

Известны держатели для крепления полпроводниковых приборов, выполненные прессованием .из полиамидной смолы, с двумя сквозными V-образными пазами в боковых стенках, Держатели крепятся к плате пустотелой заклепкой, которая своей кромкой выравнивает сферу основания, сжимая тем самым бортик держателя, обеспечивающий надежное крепление.

Держатель не предохраняет выводные концы прибора от повреждений при пайке и рихтовке. Кроме того, для крепления требуется дополнительная деталь — заклепка или винт.

Другой известный держатель представляет собой пластину с цилиндрическим гнездом с отверстиями на дне для выводов. Прибор, подлежащий креплению, вставляют в гнездо и крепят с .помощью зажимающего кольца или пробки, ввинчиваемых в верхнюю часть гнезда.

Недостатком этого устройства является применение самой пластины, которую необ«одимо закрепить на монтажной плате, а также выполнение трудоемкой внутренней резьбы в верхней части гнезда и необходимость в дополнительной детали — пробке или зажимающем кольце.

Описываемый держатель отличается от нзвестны«тем, что представляет собой гнездо, состоящее из двух частей, разделенных кольцевым выступом. Одна часть, большего диаметра, имеет боковые продольные пазы, до«одящие до внутреннего кольцевого выступа, н пружинящие лепестки, на концах которы« выполнены буртики. В другой части гнезда, меньшего диаметра, с боковыми окнами длл отвода тепла и отверстиями в дне для выводoB полупроводника, имеется пространство между внутренним кольцевым выступом н дном гнезда, исключающее возможность перегиба и и-é"êè выводных .концов б.л.иже допустимого расстояния от корпуса полупровод15 ника, вместе с тем допускал произвольную рихтовку выводов за пределами держателя.

Описываемос устройство позволяет также удобно и быстро заменять полупроводниковые приборы, 20 На фиг. 1 изображен общий вид держателя; на фиг. 2 — вид в разрезе с прибором, вставленным в отверстие платы; на фиг, 3— конфигурация отверстия в плате.

Держатель выполнен прессованием из ударопрочного полистирола. Одна часть держателя, диаметр внутренней цилиндрической поверхности которой несколько больше диаметра фланца полупроводника, нмеет внутренний кольцевой выступ I (фиг. 2) и пружинящие лепестки 2 с буртиками ), которые вставляют288157

5 ), Риг. 2

Составитель В. Гришин

Редактор Б. Федотов Техред А. А. Камышникова Корректор Н. Л. Бронская

Заказ 16/47 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совсте Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Тип, Харьк. фил. пред. «Патент» ся в пазы 4 отверстия 5 на монтажной плате (фиг. 3) и удерживаются в этом отверстии с транзистором б. В стенках другой части держателя имеются окна 7 для отвода тепла, а дне 8 — отверстия 9 для выводных концов 10.

Держатель со вставленным в него гранзистором б, который отпирается фланцем на внутренний кольцевой выступ 1 и выводные концы 10 которого продеты в отверстия 9 в дне 8 (фиг. 2), вставляют пружинящими лепестками

2, слегка сжимая их, в пазы 4 отверстия 5 на плате. Корпус транзистора входит в отверстие платы и ложится на плату фланцем, который плотно прижимается внутреннии .кольцевым выступом 1, Разжимаясь в пазах отверстия, пружинящие лепестки с буртиками предохраняют держатель с транзистором от выпадании наружу, прочно и надежно удерживают его на плате.

Предмет изобретения

Держатель для крепления полупроводниковых пр иборов, преимущественно триодов, к мснтажной плате в виде цилиндрического корпуса с гнездом, в дне которого имеются отверстия для выводов, а в стенках — продольные сквозные пазы, от.ияаюшийся тем, что с целью повышения удобства замены и наде>кности удержания прибора, внутри гнезда вьиполнен кольцевой выступ, прижимающий прибор к монтажной плате, а на наружной части корпуса расположены лепестки, на концах которых имеются буртики, вставляемые в пазы на монтажной плате.

Держатель для крепления полупроводниковыхприборов Держатель для крепления полупроводниковыхприборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх