Влагопглатитель

 

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11)286774 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено03.10.68 (21) 1272755/26-25 с присоединением заявки №

Я (511 М, Кл.

Н 01 1 21/00

Гасударственный квинтет

Саввтв Мииистрав СССР па делам изааретвний и аткрытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.08.78,Бюллетень № 32 (45) Дата опубликования описания Г9.08.78. (53) УДК 621.382. .002(088.8) T. Г. Плаченов, Г. М. Белоцерковский, Е. Н. Долгова, Ю. В, Ежов, B. A. Фогель, А. П. Бенедиктов и И. Я. Авилов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ВЛАГОПОГЛОТИТЕЛЬ

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов а именно, к влагопоглотителям, применяемым для поддержания в корпусе прибора низкой относительной влажности в широком диапазоне температур (60 — 150 С), что обеспечивает надежность работы и стабильность параметров приборов, в частности транзисторов.

Известны влагопоглотители на основе цеолитов, которые применяются в виде зерен, спрессованных .i.- олеток и порошков.

Известны также жидкие или консистентные инертные композиции, состоящие из с»есей цеолита и силиконовых масел. Влагопоглотитель. состоящий из силиконовых масел и кристаллов цеолита, помещают в баллон, который герметично запаивается.

Однако такие цеолитовые влагопоглотители предъявляю черезвычайно высокие требования к степени чистоты силиконовых масел. Получение >ке силиконовых масел высокой чистоты — — задача сложная.

Кроме того, замасливание швов баллона при снаряжении затрудняет герметичную запайку баллонов холодной сваркой и приводит к большому процентч брака на производстве. А также в данно» случае невозможна регенерация приготовленной смеси. вследствие чего на производстве нельзя иметь заделы полуфабрикатов.

Цель предлагаемого изобретения — создание влагопоглотителя в виде пленки на основе цеолита, обеспечивающего повышение надежности работы и стабилизации параметров прибора, а также снижение производственных затрат и улучшение качества изготовления транзисторов.

В состав предлагаемого влагопоглотителя входят следующие компоненты,%: цеолит

41 — 75, эпоксидная смола 22 — 51 (в качестве связуюшего) . полиэтиленполиаMèí 2 — 5 (в качестве отвердителя) и дибутилфталат

1 — 3 (в качестве пластификатора).

Предлагаемый состав позволяет получить пористую, адсорбционно-активную обладающую определенными заданными кинематическими свойствами по отношению к парам воды, механически прочную пленку, которая надежно сцепляется с внутренней поверхностью баллона.

Кинетика адсорбции предлагаемого влагопоглотителя такова, что в процессе снаряжения приборов баллонами с влагопогло286774

Фордгу,га изобретения

35

Составитель М. Сорокина

Техред, О. Луговая Корректор А. Власенко

Тираж 960 Подписное

ЫНИИГ1к1 Государственного кочитета Совета Министров СС

С1 С(з по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д. 4!5

Филиал ППГ1 «Патент», г. Ужгород, ул. Проекгная, 4 тгггслем, последнии поглопьает незначительное количество влаги и практически полностью сохраняет свою первоначальную адсорбционную емкость.

Возможность управления кинетикой адсорбции внутри прибора изменением соотношения компонентов позволяет использовать влагопоглотитель в приборах различного типа и размеров. В виде пленки влагопоглотитель занимает сравнительно с таблетками или консистентными смесями весь11а малый объем и имеет вес. Так, например, вес пленки поглотителя для приборов типа МП25 составляет 9 — 10 мг, а вес консистентной смеси 40 мг и более. Поэтому разрабОтанный состав является и наболее перспективным для микроминиатюрных элекTýoíHûõ приборов. Влагопоглотитель в балI лоне прибора можно неоднократно регенерировать. Это позволяет иметь необходимый задел нолуфаориката на производстве.

Приготовленная суспензия наносится каплями из бюретки на внутреннюю поверхность донышек баллонов транзисторов. В каждый баллон транзистора наносится !0—

12 мг композиции, что соответствует 4, °вЂ”

5,0 мг дегидратированного цеолита.

Баллоны с нанесенной композицией помешают в вакуумный сушильный шкаф, включают вакуум и после достижения разряжения, равного 0,1 мм рт. ст., включают обогрев. За 1,5 ч температуру поднимают до 160"С и термическую обработку проводят прп 160 — 180 С и вакууме не более

0,1 мм рт.ст, в течение 3 ч. Затем выключают

II;ITðåâ прп работающем вакуумном насосе, баллонь1 охлажда1от до комнатной температуры и упаковывают в полиэтиленовые ме(почKИ.

Сорбционная емкость предлагаемого цеолитового поглотителя составляет при

Р/1д, -=- 0,75 для каждого баллона транзистора 10- 12 /0 от веса поглотителя или 26—

29 /о от веса собственно гидратированных кристаллов неолита. 1аким образом, сорбционная емкость кристаллов цеолита в составе пленки практически не отличается от емкости чистых кристаллов.

Ниже приведены данные, характеризующие вторичную пористую структуру цео IHтового влагопоглотителя в интервале экви10 валентных радиусов от 291000 до 30 Л.

Интервал эквивалентных Распределение объема радиуcoB я пор, см з /ем

290000 †15 0,008

1500 †8 0,004

800 — 98 0,012

98--31 0,020

Предлагаемый цеолитовый влагопоглотитель для транзисторов отличается от известных своей простотой и экономичностью.

Он обеспечивает более высокую надежность и стабильность приборов в эксплуатации и хранении.

1. Влагопоглотитель на основе цеолита, например, для полупроводниковых приборов, оТ гичающийся тем, что, с целью повышения его адсорбционной емкости, он содержит эпоксидную смолу, полиэтиленполиамин и дибутилфталат.

2. Влагопоглотитель по и. 1, от.гичающийся тем, что он содержит указанные компоненты при следующем соотношении, /o. о

Цеолит NaA 41 — 75

Эпоксидная смела 22 — 15

Полиэтиленполиамин 2 — 5

Дибутилфталат 1 — 3

Влагопглатитель Влагопглатитель 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх