Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора
288162
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Санз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 21.III.1968 (№ 1229069/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано ОЗ.XII.1970. Бюллетень № 36
Дата опубликования описания З.II.1971
Кл. 21g, 11/02
МПК Н Ol!
УДК 621.383.4 (088.8) Комитет па делам изобретений и открытий ори Совете зкииистров
СССР
Авторы изобретения
Н. С. Лидоренко, А. П. Ландсман, A. К. Зайцева, В. В. Заддэ и Д. С. Стребков
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА
Настоящее изобретение относится к технологии получения фотоэлектрических генераторов.
Известен способ изготовления фотоэлектрического генератора созданием р — и-переходов с трех сторон пластины полупроводникового материала, присоединением омических контактов к р — и и-областей и коммутацией полученных таким образом отдельных фотопреобразователей между областями с одноименным или разноименным типом проводимости.
При этом каждый фотопреобразователь, входящий в фотоэлектрический генератор, проходит полный технологическич цикл обработки и контроля параметров. Недостатком этого способа является большая трудоемкость изготовления отдельных фотопреобразователей и коммутации их. Фотоэлектрический генератор, полученный этим способом, имеет большие размеры и малые рабочее напряжение и ток.
Предлагаемый способ позволяет получить микроминиатюрный фотоэлектрический генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площади р — n- перехода.
Для этого фотопреобразователи с р — и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов.
Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.
Согласно описываемому способу пластины с р — n-переходами соединяют в заготовки так, чтобы плоскости р — n-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р — и-nepelo ходов. После полировки и снятия шунтов пластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р — и-переходами, расположенными параллельно падаюптему излучению. На рабочих поверхностях
15 готовой матрицы создают диффузией дополнительные р — и-переходы, плоскость которых перпендикулярна падающему излучению.
Таким образом, все фотопреобразователн проходят одновременно полный технологиче20 ский цикл обработки и контроля от коммутации р — и-переходов до создания р — и-переходов, например, методом ионной бомбардировки в скоммутированной готовой матрице.
25 Предмет изобретения
1. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора созданием фотопреобразователей с р — n-переходами на
30 трех сторонах и омическими контактами с по288162
Составитель А. Б. Кот
Редактор В. Дибобес
Корректор О. Б. Тюрина
Издат. № 63 Заказ 99/1б Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Миннсгров СССР
Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 следующей коммутацией областей с одноименными или разноименными типами проводимости, отличающийся тем, что, с целью получения микроминиатюрного фотоэ чектрического генератора с рабочим напряжением
50 в/смв и более при рабочем токе более
10 а/см2 площади р — n-перехода, фотопреобразователи с р — n-переходами, параллельными падающему излучению, ком мутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием на пабочих поверхностях готовой матрицы посредством диффузии примесей до5 полнительных р — n-переходов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.