Элемент памяти на двухотверстном трансфлюксоре
О ПMС i ЙИ E
ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ
275I42
Союз Соеетокит
Социалиотичеокиз
Рввпуйлив
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 07.11.1969 (№ 1311066i18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано ОЗХ1!.1970. Бюллетень ¹ 22
Дата опубликования описания 6.Х.1970
Кл. 21а, 37/04
МПК G 11е 11/06
УДК 681.327.2
Комитет по долам изооретений и открытий при Совете Миниотрав
СССР
Авторы изобретения
Г. Г. Финогеева, Е. Н. Коваль и В, П. Кузнеченков
Заявитель
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ДВУХОТВЕРСТНОМ ТРАНСФЛЮКСОРЕ
Предложенный элемент памяти может быть использован в устройствах автоматики и вычислительной техники.
Известны элементы памяти на двухотверстных трансфлюксорах из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, работающих в режиме частичного перемагничивания.
Основной недостаток подобных элементов заключается в невысокой линейности характеристики накопления U= f (N), (где U — амплитуда импульса, снимаемого с выходной обмотки трансфлюксора, N — число запоминаемых импульсов), которая имеет место вследствие неидеальной прямоугольности петли гистерезиса магнитного материала, конечных размеров трансфлюксора и других причин.
Предложенный элемент памяти отличается тем, что в нем выходная обмотка трансфлюксора соединена с его нагрузкой через четырехполюсник, выполненный по схеме интегрирующий RC-цепочки с изменяющейся постоянной времени.
Это позволяет линеаризировать характеристику накопления.
На фиг. 1 дана схема элемента памяти; на
Фиг. 2 — характеристика накопления трансфлюксора; на фиг. 3 — характеристика RC-цепочки, Большое отверстие трансфлюксора, выполненного из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, пронизывают обмотка 1 установки в исходное состояние, входная обмотка
2 и обмотка 3, ш .нтированная сопротивлением 4. Малое отверстие пронизывают обмотка опроса 5 и выходная обмотка 6.
В предложенном элементе памяти информация представляется импульсами тока. По обмотке 1 перед записью информации подается импульс тока, устанавливающий трансфлюксор в состояние, соответствующее записи «О».
Затем на обмотку 2 поступает У импульсов тока. Неразрушаемое считывание осуществляется подачей биполярной импульсной последовательности в обмотку опроса 5. При этом в выходной обмотке 6 наводятся импульсы напряжения, амплитуда U которых зависит от числа входных импульсов.
Эффект линеаризации характеристики накопления в некотором диапазоне выходных значений имеет место в результате соответствующего подбора характеристики интегри2> рующей RC-цепочки, состоящей из диода 7, сопротивления 8 и конденсатора 9. Диод 7, включенный в проводящем направлении, представляет собой в данном случае нелинейное сопротивление, величина которого в области
3Q малых токов зависит от прИложенного напря Ъ
275142
Ф 3
Предмет изобретения
10
1 2 ИЪ)
Фиг.2
110ых )
Щ 41 га 3 /
Фиг. 8
Редактор Л. А. Утехина Составитель Ю. Розенталь Корректор И. С. Хлыстова
Заказ 2794/9 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская наб.. д. 4!5
Типография, пр. Сапунова, 2 жения. Сопротивление 8 служит для коррекции характеристики диода 7.
Выходная характеристика накопления элемента памяти линеаризуется с достаточной степенью точности. Это достигается включением нелинейного четырехполюсника с характеристикой, компенсирующей нелинейность выходной характеристики трансфлюксора.
Выходное напряжение элемента памяти располагается в диапазоне 0 — 1,3 в, а приращение выходного напряжения, Л U,„,, соответствующее единице записываемой информации (одному импульсу на,входе) соста|вляет 30 яа.
Элемент памяти на двухотверстном транс флюксоре из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, содержащий обмотки входную, установки .в исходное состояние, опроса, выходную и обмотку, шунтированную резистором, отличающийся тем, что, с целью линеаризации характеристики накопления элемента, выходная обмотка трансфлюксора соединена с нагрузкой через четырехполюсник, выполненный по схеме интегрирующей RC-цепочки с изменяющейся постоянной времени.
