Манипулятор для переноса тонких полупроводниковых пластин

 

257628

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Солта Советских

Социалистических

Республик

Заэисихтое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 13.V.1965 (№ 1007515/26-25) с присоединением заявки чое—

Приоритет—

Кл. 21g, 11/02

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н Oll

УД К 621.382.213.002.2 (088.8) Опубликовано 20.Х|.1969. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания 17.XII.1970

Авторы изобретения

В. И. Захаров, 3. Ф. Конякина и Б. В, Малин

Заявитель

МАНИПУЛЯТОР ДЛЯ ПЕРЕНОСА ТОНКИХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ПЛАСТИН

Существующие устройства для переноса . тонких пластин основаны на использовании механических захватов или на вакуумном подсосе, что приводит к обязательному контакту пластин с чужеродными телами и увеличивает 5 возможность их поломки и загрязнения.

Предлагаемый манипулятор позволяет осуществить бесконтактный перенос пластин, а следовательно, устраняет механические поверхности повреждения и загрязнения пере- 1О носимых пластин.

На фиг. 1 изображена головка захвата, на фиг. 2 — вид по стрелке А на фиг. 1.

Полупроводниковая пластина 1 с полированной поверхностью находится в головке за- 15 хвата 2.

В центре головни 2 имеется канал 3, соединенный с пневмосопротивлением. Инертный газ повышенного давления от пневмосопротивления проходит по каналу 3 и, радиально распределяясь, истекает с большой скоростью через зазор, между оптической плоскостью 4 головки и пластиной 1 (пластину с полированной поверхностью можно рассматривать как вторую оптическую плоскость). При больш их скоростях движения газа образуется полость низкого давления (закон Бернулли) . Атмосферное да вление поднимает и удерживает пластину во взвешенном состоянии в зазоре относительно захвата, равном 0,05 .т л. Истечение газа осуществляется через отверстия 5 и 6, выполненные по периферии головки. При этом отверстия 5 расположены выше зазора между. пластиной и оптической плоскостью головки, а отверстия 6 несколько смещены относительно того же зазора, что дает направленное движение истекаемому газу и не позволяет газовому потоку отжимать пластину от головки.

Для обеспечения устойчивого положения пластины в горизонтальной плоскости захват имеет ограждение 7. Освобождение переносимой пластины осуществляется снятием давления, Предмет изобр етения

Манипулятор для переноса тонких полупроводниковых пластин, содержащий захват, выполненный в виде головки с краевыхпи буртиками, отличптощийся тем, что, с целью предотвращения механических повреждений и загрязнений переносимых пластин, головка имеет в центре канал, соединенный с источником инертного газа повышенного давления, а по периферии головки выполнены отверстия сброса газа, причем эти отверстия расположены выше зазоров между пластиной и оптической плоскостью головки.

257628 атасрерное баренце

9иг 1 BodA

9 иг,2

Корректор Л. П,. Евдонов

Техред T. П. Курилко

Редактор Чистова

Тип, Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 258/1944 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5

Манипулятор для переноса тонких полупроводниковых пластин Манипулятор для переноса тонких полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Тиристор // 252482

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх