Способ сборки полупроводниковых триодов

 

- ° . 1

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

251705

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 2Ig, 11/02

Заявлено 23Л!.1967 (№ 1135982/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК H Oll

УДК 621.382.2/3.002.72 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 03,XII.1969. Бюллетень № 1 за 1970

Дата опубликования описания 20.IV.1970

Авторы изобретения

В. С, Галков и А, И. Белякод

Заявитель

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ

Предмет изобретения

Известен способ сборками полупроводниковых триодов в пластмассовых корпусах, состоящий в том, что на бесконечную ленту напаивают полупроводниковые кристаллы,и внутренние выводы. После этого ленту разрезают и собранные на ней кристаллы присоединяют к отдельным ножкам, которые затем герметизируют.

Предлагаемый способ отличается тем, что кристаллы и внутренние выводы присоед иняют к гирлянде из проволочных наружных выводов, соединенных между собой элементами корпусов или технологическими скрепками.

Затем гирлянду разрезают на отдельные собранные ножки, которые герметизируют.

Это позволяет повысить производительность сборки.

На фиг. 1 схематически показана гирлянда, образованная выводами и элементами (фланцами) корпусов транз|исторов (1, а), и гирлянда, образованная выводами .и технологичеческими скрепками (1, б); на фиг. 2 — гирлянда с пр исоединенными кристаллами; на фиг. 3 — гирлянда с присоединенными .выводами; на фиг. 4 — разрезанная гирлянда при герметизации: гирлянда с элементами корпусов (4, а) и гирлянда с технологическими скрепками (4, б) .

Проволочные выводы 1, образующие гирлянду, скрепляют элементами корпусов 2 путем опрессовки пластмассой или металлическими скрепками 8 в виде проволочек втли полосок путем приварки. К одному из выводов присоединяют кристаллы 4, которые могут быть также приварены к ленте. Чтобы получить площадки, места присоединения кристаллов предварительно деформируют. Далее при10 соединяют выводы 5.

Перед герметизацией гирлянду разрезают.

Если применялись технологические скрепки, их удаляют.

Для герметизации гирлянду заливают ком15 паундом.

Способ сборки полупроводнкковых трио20 дов, отличающийся тем, что, с целью автоматизации и механизации процесса, кристаллы и внутренние выводы присоединяют к гирлянде, состоящей из проволочных наружных выводов, соединенных между собой элементами

25 корпусов или технологическими скрепками, после чего гирлянду разрезают на отдельные собранные ножки, которые затем гериетизируют.

251705

Составитель В. Шведова

Техред Л. В. Куклина Корректор Г. П. Шильман

Редактор Б. Федотов

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 831/5 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Способ сборки полупроводниковых триодов Способ сборки полупроводниковых триодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к масштабируемому интегрированному устройству обработки данных, в частности микрокомпьютеру

Изобретение относится к устройству хранения и обработки данных и способу его изготовления

Изобретение относится к области изготовления микромеханических приборов на твердом теле и может использоваться при групповой сборке микромеханических датчиков
Изобретение относится к технологии сборки фотоприемных устройств ИК-диапазона и кремниевой БИС считывания, где актуальной проблемой является получение надежного гальванического соединения элементов фотоприемной матрицы и матрицы считывания

Изобретение относится к технологии изготовления фотоприемников ИК-излучения на основе химически осажденного сульфида свинца с различным числом фоточувствительных элементов

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к полупроводниковой СВЧ электронике и может быть использовано при создании волноводных СВЧ модулей повышенной прочности и устойчивости к внешним воздействиям на основе монолитных интегральных схем (МИС)

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении электронных блоков
Наверх