Способ изготовления ,о—п-переходов

Авторы патента:

В. Н. Данилин, А. В. Красилов, Ю. П. Кондратьев, А. Л. Филатов , А. А. Черн вский

H01L21/04 - приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей

H01L21/02 - изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L 51/40)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

237268

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Кл. 21g, 11/02

Заявлено 11.11.1966 (№ 1056963 26-25) с присоединением заявки №вЂ”

ПриоритетвЂ”

Оп у бл и ко в а íî 14.Х.1970. В юла стен ь ¹ 32

Дата опубликования описания 5.1т .1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н Oll

4 Д1 621 382 2 002 (083.77) (088.8) Авторы изобретения

В. Н. Данилин, А. В. Красилов, Ю. П. Кондратьев, А. Л. Филатов и А. А. Чернявский

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ р вЂ” и-ПЕРЕХОДОВ

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов.

Известные способы создания р вЂ” и-переходов (сплавление, диффузия) ц выводов к ним (пайка, сварка, термокомпрессия) не позволяют получать структуры малой площади с малой глубиной залегания перехода.

По предложенному способу примеси одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположного типа провсхдихтости давлением без образования жидкой фазы при температуре выше комнатной, но ниже температуры эвтектики полупроводник вЂ” примесный материал. Это позволяет получить переходы малой площади, расположенные на небольшой глубине.

Описываемый способ, иллюстрируется чертежом.

Показанный переход получен термокомцрессцей алюминиевой проволоки 1 к поверхности германиевой пластины 2, легированной сурьмой, при температуре 320 С ц давлении

5 кг .ттл ; образующаяся от внедрения область р-типа 8 имеет толщину менее 0,1 ттк.

По предложеннотj технологии могут изготовляться силовые ц туннельные диоды, ВЧц СВЧ-транзисторы.

10 Предмет изобретения

Способ изготовления р вЂ” и-перетсодов методом введения легпруюшей примеси, от.шчаютапйгя тем, что, с целью получения переходов

15 малой плошади и расположенных на небольшой глубине, примеси вводят давлением при температуре выше комнатной, но ниже температуры эвтектнки полупроводник вЂ” примеснтлй материал.

237268

Составитель М. Блатова Редактор Т. И. Зубкова Техред Т. П, Курилко Корректор Т. А. Джаманкулова

Заказ 14/44 Тираж 480 Подписное

ЦКИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред, «Патент»

Патент 161074 // 161074

Устройство для формовки точечных полупроводниковых приборов // 146884

Способ получения сплавного перехода кремний-алюминий // 109994

Ящик для продажи сахара // 15871

Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам // 208134

Способ получения рельефов на поверхности полупроводника // 165837

Патент 153975 // 153975

Способ получения изображения p-n переходов // 148154

Способ изготовления детекторов // 10891

Способ изготовления чувствительных элементов для полупроводниковых детекторов импульсного ионизирующего излучения на основе теллурида кадмия // 2103765

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании спектрального состава и плотности потока высокоинтенсивного излучения электрофизических установок, в частности линейных ускорителей, импульсных реакторов, где требуются детекторы с высоким временным разрешением, высокой радиационной стойкостью и высокой избирательностью детектора к жесткой части спектра излучения

Фотошаблон для фотолитографии // 2114485

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к устройствам для фотолитографических процессов, и может быть использовано при изготовлении микросхем

Емкостной акселерометр и способ его изготовления // 2114489

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых емкостных акселерометров

Способ создания монолитной интегральной свч схемы // 2130215

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, монтируемых в волноводный узел

Способ изготовления двусторонней печатной платы и двусторонняя печатная плата // 2138931

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и их конструкции и может быть использовано в приборостроении, радиоэлектронике и других областях техники

Полупроводниковый газовый сенсор и способ его изготовления // 2143678

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм)

Линия фотолитографии // 2201012

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа // 2207658

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др

Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования // 2210834

Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем

Устройство для формирования рисунков // 2257603

Способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника // 2119210