Способ получения изображения p-n переходов
класс 21о, 13зо № 148154
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕГЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ .11одиисная epgnna № 97
Н. Н. Седов
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДОВ
Заявлено 16 июля 1961 г. за № 738369/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 12 за 1962 r.
Известные способы получения изображения р-и переходов в полупроводниках при помощи электронной эмиссии с их поверхности имеют низкое качество изображения, в связи с чем они не находят практического применения.
Предлагаемый способ отличается тем, что электронную эмиссию возбу>кдают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами. Это позволяет значительно улучшить качество изображения.
На чертеже изображено устройство для наблюдения р-и переходов.
Поверхность полупроводника 1, на которую выходят р-и переходы, служит катодом эмиссионного электронного микроскопа со вторичной эмиссией.
Эмиссия электронов полупроводника вызывается ббмбардировкой его поверхности положительными ионами, вылетающими из ионной пушки 2.
Освобожденные электроны проходят объектив -8 микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий,экран б, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-и перехода.
Под экраном б размещена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под. экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изобра>кения с экрана б. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 9 и форвакуумным 10 насосами. Питание к электродам микроскопа н ионной пуш.ке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя 11.
При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 и 10.
М 148154
Объект исследования подготавливается путем среза, шлифовки и полировки полупроводника до тех пор, пока р-и переходы не окажутся н а его п овер хи ости.
Для устранения поверхностного замыкающего слоя поверхность полупроводника;подвергается травлению с последующей промывкой спиртом и дистиллированной водой.
Предлагаемый способ получения изображения р-и переходов найдет широкое применение в радиоэлектронной промышленности при исследовании качества р-и переходов в полупроводниках.
Предмет изобретения
Способ получения изображения р-и переходов в полупроводниках при помощи электронной эмиссии с .их поверхности, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества изображения, электронную эмиссию возбуждают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами.
Редактор Т. Ф. Загребельная Техред А. А. Кудрявицкая Корректор E. NL Кашина
Поди. к печ. 7 Vl-62 г. Формат бум. 70К108 /ы
Зак. 6156 Тираж 1000
ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при
Москва, Центр, М. Черкасский пер., Объем 0,18 изб л.
Цена 4 коп.
Совете Министров СССР д. 2/6.
Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.
