Мультивибратор на транзисторах
O n ii C А Й Й Е iOS
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 13.ill.1967 (№ 1140093/26-9) с присоединением заявки №
П1 иоритpT
Опубликовано 01.V11.1968. Бюллетень № 21
Дата опубликования описания 18.IX.1968
Кл. 21а1, 36/02
МПК H 03k
УДК 621.373.431 1 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
В, А. Орлов и И. А. Харченко
Заявитель
МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ
Известны транзисторные мультивибраторь1 с трансформаторным включением нагрузки, в которых, с целью подавления блокинг-генерации, в цепи баз включены два диода и два триода. Однако полностью задача подавления паразитных колебаний этим не решается.
Кроме того, в таких мультивибраторах в результате смещения частотной характеристики ухудшаются условия самовозбуждения.
В предлагаемом мультивибраторе база каждого из триодов подключена к эмиттеру этого же триода через два последовательно соединенных диода, между которыми включены конденсаторы связи с коллекторами триодов. Диодами разрывается цепь обратной связи через первичную обмотку трансформатора в момент открывания соответствующего триода, что обеспечивает полное устранение блокинг-генерации.
На фиг. 1 изображена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора; на фиг. 2 — характеристика кремниевого диода.
Цепь обратной связи мультивибратора через трансформатор для открытого триода разрывается в момент открывания последнего.
Поэтому режим открытого триода определяется только постоянным базовым током, который зависит от сопротивления 1 (или 2) и не может быть нарушен возникновением лавинообразного процесса за счет обратной связи через нагрузочный трансформатор.
Диоды 8, 4, б и 6 выбираются с большим сопротивлением в прямом направлении при напряжении Г(ГО. В дальнейшем характеристика диодов резко изгибается.
В момент открывания триода 7 потенциал в точке 8 падает, и зарядный ток конденсатора
9 течет через диод 6. При этом в точке 8 по
10 отношению к эмиттерам держится потенциал, примерно равный Ус, а диод 6 закрыт. В начальный период импульса конденсатор 9 заряжается, и ток заряда через диод 6 резко падает. Это смещает рабочую точку диода 6
15 несколько левее величины (/с. Сопротивление диода резко возрастает, и заряд конденсатора 9 замедляется. Это обеспечивает положение рабочей точки диода 6 вблизи напряжения Uq в продолжение всего импульса преоб20 разователя. Следовательно, за все время, пока триад 7 открыт, диод 6 закрыт, Цепь обратной связи через нагрузочный трансформатор для открытого триода разрывается и, таким образом, устраняются условия для раз25 вития блокинг-процесса. Триод 10 в это время закрыт. Потенциал точки 11 по отношеншо к эмитгеру положительный, и в момент закрывания триода примерно равен напряжению питания преобразователя. Конденсатор 12
30 разряжается через открытый диод 8 и сопроПредмет изобретения а, йф Pvg !
- u 2
Редактор Н. Громов Техред А. А. Камышиикова Корректор Л. В. Наделяева
Заказ 2693115 Тираж 530 Подпис1 vc
ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мппистров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 тивление 1 (диод 4 закрыт). В конце разряда конденсатора 12 ток разряда падает и потенциал базы триода 10 по отношению к эмиттеру из-за наличия тока через базовое сопротивление 1 понижается. Возникают условия для блокинг-процесса триода 10 за счет обратной связи через трансформатор.
В самом начале блокинг-процесса диод 5 благодаря увеличившейся амплитуде перебро са открывается, и происходит нормальный переброс мультивибратора. Триод 10 открывается, а диод 8 закрывается, и процесс повторяется.
Таким образом, в предлагаемом мультивибраторе устранена возможность появления блокинг-генерации.
Мультивибратор на транзисторах с трансформаторным выходом, база каждого из которых подключена к средней точке первичной обмотки трансформатора через активное сопротивление, отлича ощийся тем, что, с целью устранения блокинг-генерации, между эмиттером и базой каждого из транзисторов включены два последовательно соединенных полупроводниковых диода, а конденсаторы связи подключены между указанными диодами и
15 коллекторами соответствующих транзисторов.

