Оперативное запоминающее устройство

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

ОП ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетоких

Социалистических

Респу0лик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.1Ч.1966 (¹ 1071438/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 171.1968. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 15.III.1968

Комитет по делам ивооретений и открытий при Совете Министров

СССР

8.8) Авторы изобретения

Ф. А. Григорян и K. А. Меликян

Заявитель

ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНА1ОЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Уже известны оперативные запоминающие устройства на тонких ферромагнигных пленках со считыванием без разрушения информации.

Предложенное устройство отличается тем, что, с целью упрощения конструкции, группа элементов запоминания одного разряда охвачена замкнутым токопроводящим контуром.

Предлагаемое устройство поясняется чертежом, где 1 вЂ” токопровод с нанесенной тонкой ферромагнитной пленкой, 2 вЂ” обмотка чтения, 8 вЂ” выходное сопротивление, 4 вЂ” выходная обмотка формирователя тока записи, 5 вЂ” токопровод без магнитного покрытия, б вЂ” закорачивающий провод, 7 вЂ” место пайки закорачивающего провода с магнитопроводом.

Запись информации производится обычным образом подачей импульсов тока в числовой и разрядный токопроводы. Для считывания в обмотку чтения 2 подается импульс тока прямоугольной формы, магнитное поле которого устанавливает вектор намагниченности по направлению оси тяжелого намагничивания.

Считанная э.д.с. создает ток в контуре, образованный токопроводом с цилиндрической тонкой ферромагнитной пленкой 1 и закорачивающим токопроводом 5 на участке между двумя пайками 7, охватывающим считываемый элемент запоминания. После снятия импульсного поля чтения вектор намагниченности стремится повернуться к оси легкого намагничивания. Направление вращения вектора намагниченности к оси легкого намагничивания определяется направлением тока, циркулирующего в токопроводящем контуре, т. е. зависит от полярности считанного сигна10 ла.

3а время действия импульсного поля чтения затухание тока, циркулирующего в разрядном контуре, невелико вследствие малости

15 активного сопротивления 8 токопроводящего контура, охватывающего группу элементов запоминания, и наличия индуктивности элементов запоминания в контуре. И поле, создаваемое этим током, в момент снятия поля чте20 ния имеет величину, достаточную для обеспечения нужного направления вращения вектора намагниченности в сторону оси легкого намагничивания. После снятия поля чтения ток, циркулирующий в контуре, резко спадает до

25 нуля из-за э.д.с., появляющейся в контуре, вследствие вращения вектора намагниченности в сторону легкой оси. В результате этого очередное чтение по данному адресу можно начинать непосредственно по окончании счи30 танного сигнала.

Предмет изобретения

Оперативное запоминающее устройство на тонких ферромагнитных пленках со считыванием без разрушения информации, отличающе209074 еся тем, что, с целью упрощения конструкции, группа элементов запоминания одного разряда охвачена замкнутым токопроводящим контуром.

Составитель В. М, Щеглов

Редактор Ю, Н. Петров Техред А. А. Камышникова Корректоры. С. П. Усова

Л. М. Прохорова

Заказ 332/9 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ изготовления матрицы памяти // 204373

Матрица на тонких магнитных пленках // 203315

Патент 200623 // 200623

Пленочная магнитная матрица // 200622

Запоминающий элемент // 194884

Патент 191637 // 191637

Усилитель для считывания сигналов с тонких магнитных пленок // 190936

Замкнутый тонкопленочиый магнитный запоминающий элемент // 190414

Матрица запоминающего устройства на цилиндрических тонких магнитных пленках // 187839

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)