Патент ссср 200623

 

200623

Составитель А. А. Соколов

Текред T. П. Курилко Корректоры: М. П. Ромашова и Г. И. Плешакова

Редактор П. Шлайн

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 3466/5 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

О П И С А Н И Е 2ОО623

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

1<л. 21ат, 37/04

Заявлено 06.Х.1966 (№ 1106036/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК G 06f

Комитет по делам валев, Л, М. и И. В. Берг

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ С ЗАМКНУТЫМ МАГНИТОП1тОВОДОМ

Предмет изобретения

Элементы памяти с замкнутым магпитопроводом известны.

Описываемый элемент памяти отличается от известных тем, что он выполнен в виде пленочной трехслойной системы ферромагнитный металл — феррит — ферромагнитный металл, причем слои ферромагнитного металла одновременно служат токопроводами. Это ,позволяет уменьшить размеры элемента и упростить технологию его изготовления.

На чертеже схематически изображен описываемыйй элемент.

На монокристаллическую подложку 1, например, из окпси магппя, нанесены токопроводящие шины 2 пз ферромагнитного материала, например, никеля, затем ферритовая пленка 3 и ортогональпые шины 4 из того же материала, что и шины 2. На чертеже схематически показано также примерное распределение потоков Ф прп протекании токов 1 через шипы.

Замкнутый магнитопровод образуется си5 стемой: шина из ферромагнитного металла— пленка феррпта. Линии индукции в этом случае имеют наименьшую длину, Элемент памяти с замкнутым магпптопроводом, от гичаюи ийся тем, что, с целью снижения размеров элемента и упрощения технологии его изготовления, он выполнен в ви15 де пленочной трехслойной системы: ферромагнитный металл — феррит — ферромагнитный металл, причем слои ферромагнитного металла одновременно служат токопроводами.

Патент ссср 200623 Патент ссср 200623 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх