Матрица запоминающего устройства на цилиндрических тонких магнитных пленках

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

I87839

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26.Х.1965 (№ 1034543/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20,Х.1966. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 10.XI I.1966

Кл. 21ат, 37/60

МПК G 061

УДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ

Известные матрицы и кубы с цилиндриче ской магнитной пленкой и осью легкого намагничивания, направленной по окружности нормального сечения цилиндра либо близко к ней, имеют тот недостаток, что при подаче импул са управляющего тока в обмотку числово: возоуждения поток магнитной индукции, обусловленный намагниченностью пленки, замыкается по воздуху. Возникающее при этом магнитное поле формы, действующее в запоминающей ячейке, резко снижает истинное поле управления, что требует значительного увеличения амплитуд управляющих токов.

В известных конструкциях матриц, использующих магнитные пленки с осью легкого намагничивания, направленной по образующей цилиндра, магнитный поток .при отсутствии токов управления замыкается по воздуху. Обусловленное этим магнитное поле формы снижает надежность хранения информации в матрицах этого типа, Предлагаемая матрица отличается от известных тем, что каждая ее запоминающая ячейка охвачена дополнительным магнитопроводом из ферромагнитного материала поверх обмоток возбуждения. Этот магнитопровод может быть выполнен из магнитодиэлектрика, оксифера, сверхтонкой магнитной ленты или магнитной пленки.

Магнитный поток, обусловленный собственной намагниченностью тонкой магнитной пленки, в предлагаемой матрице будет замыкаться в основном по ферромагнитному. материалу, в результате чего магнитное поле формы будет существенно снижено или устранено совсем.

При этом оно будет мало зависеть от геометрических размеров запоминающей ячейки.

Таким образом, геометрические размеры ячеек могут быть уменьшены до таких величин, которые обеспечивают существующий уровень технологии. Величина истинного поля возбуждения в ячейках предлагаемой матрицы будет близка к величине поля управляющих токов, это даст возможность снизить их амплитуды, Выход магнитного потока из пленки запоминающей ячейки будет локализован в месте подхода дополнительного магнитопровода к пленке. Благодаря этому запоминающие ячейки могут быть расположены весьма близ2о ко одна к другой.

На чертеже показан один из вариантов выполнения предлагаемой матрицы.

Цилиндрическая тонкая магнитная пленка нанесена на провод 1 малого диаметра, по ко25 торому подаются разрядные токи возбуждения.

Токи числового управления подаются в соленоидальные обмотки возбуждения 2.

Каждая обмотка числового возбуждения заЗО ключена в магнитопровод 8, который выпол187839

Работа матрицы в устройства ничем не обычной матрицы на магнитных пленках.

5 составе запоминающего отличается от работы цилиндрических тонких

Предмет изобретения

Составитель В. М. Щеглов

Редактор Н. Джарагетти Техред Т. П. Курилко Корректоры: А. M. Смак и В. Е. Соколова

Заказ Зб4018 ТиРаж 950 ФоРмат бУм. 60X90 /з Объем 0,16 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 нен из магнитодиэлектрика и имеет вид длинного полого параллелепипеда со сквозным отверстиями для прохода разрядных проводов.

Таким образом, каждая запоминающая ячейка оказывается охваченной обратным маг нитопроводом. Сами параллелепипеды не обязательно должны быть отделены один от другого промежутками, они могут быть расположены вплотную друг к другу.

Обмотки возбуждения 2 и разрядные провода 1 присоединяются к контактам, расположенным на контактной рамке 4. Контакты на вертикальных сторонах рамки 4 предназначены для разрядных проводов 1, контакты на горизонтальных сторонах рамки 4 — для обмоток числового возбуждения 2. Для придания жесткости матрицу целесообразно залить компаундом.

Матрица запоминающего устройства на ци10 линдрических тонких магнитных пленках с обмотками возбуждения, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения величин управляющих токов и повышения плотности размещения информации, в ней магнитопровод из ферроТ5 магнитного материала охватывает запоминающие ячейки матрицы поверх обмоток возбуждения.