Патент ссср 191637

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

l9I637

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.Х.1965 (№ 1034205/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.1.1967. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания ЗО.III.1967

Кл. 21ат, 37/16

МПК G 06f

УДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам каобретвиий и открытий при Совете сйиииотров

СССР

Авторы изобретения

Г. П. Жариков и В. В. Звягинцев

Институт кибернетики АН Украинской CCP

Заявитель

ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Известны тонкопленочные запоминающие матрицы, выполненные из дискретных магнитных пленок низкокоэрцитивного сплава (например, NiFe или NIFeCo, NiFeP), осажденных на подложку.

Предлагаемое устройство отличается тем, что на подложку осаждена сплошная пленка немагнитострикционного материала 10%

Fe вЂ” 90% Со. Это позволяет создать необходимую область допустимых изменений управляющих токов и исключить промежуточный слой.

На чертеже показана предлагаемая матрица.

Дискретные пленки 1 с пологими краями, осажденные на подложку 2 матрицы, покрыты сплошным слоем высококоэрцитивного материала 8.

Если толщины слоев малы и отсутствует промежуточный слой изоляции, магнитные свойства слоев усредняются. Толщины слоев подобраны так, чтобы магнитные свойства двухслойной пленки несущественно отличались от свойств дискретных пленок в сторону увеличения Н, и Н» (т. е. толщина высококоэрцитивного слоя много меньше толщины низкокоэрцитивного слоя) .

На пологих краях дискретных пленок, где соотношение толщин слоев изменяется за счет уменьшения толщины низкокоэрцитивного слоя, Нн,в возрастает, что и образует барьер

5 высокой коэрцитивной силы. Сплошной слой материала с большим Н, и Н» уменьшает разброс направлений осей анизотропии дискретных пленок.

Вследствие больших Н, и Н» сплошного

10 слоя на участках между дискретными пятнами состояние намагниченности этих участков от изменения намагниченности двухслойных пленок не изменяется, и взаимосвязь между намагниченностями соседних элементов через

15 м агнитную среду отсутствует.

Предмет изобретения

Тонкопленочная запоминающая матрица, выполненная из дискретных магнитных пле20 нок низкокоэрцитивного сплава, например, NiFe, %РеСо или NiFeP, осажденных на подложку, отличающаяся тем, что, с целью создания необходимой области допустимых изменений управляющих токов и исключения

25 промежуточного слоя, на подложку осаждена сплошная пленка немагнитострикционного материала 10% Fe вЂ” 90% Со.

191637

Редактор В. В. Дербинов

Техред Л. Бриккер

Корректоры: Л. Е. Гришина и H. Н. Самыгина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 729/7 Тираж 535 Подписное

LIHHHIIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Замкнутый тонкопленочиый магнитный запоминающий элемент // 190414

Матрица запоминающего устройства на цилиндрических тонких магнитных пленках // 187839

Ячейка памяти со считыванием информации без разрушения // 187408

Куб памяти на магнитных пленках // 186202

Устройство для проверки пленочных матриц // 185576

Накопитель на сменных ферромагнитных // 185568

Способ записи и чтения информации с анизотропной тонкой ферромагнитной пленки // 184936

Патент 178173 // 178173

Стройство для соединения металлических подложек магнитных пленок с металлическимоснованием // 176719

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)