Способ изготовления матрицы памяти
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
СОюз Соэетских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 07.1,1967 (№ 1124288/26-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 20.Х.1967. Бюллетень № 22
Дата опубликования описания 25.XII.1967
Кл. 21а, 37/04
МПК H 03k
УДК 681.327.66 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытиЯ при Соеете 66иниотрое
СССР
Ав горы изобретения
М. М. Червинский, Я. М. Ксендзов и Е. К. Юрьева
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ПАМЯТИ
Известен способ изготовления матриц памяти с замкнутым магнитопроводом путем получения чередующихся слоев феррита и металла, а также способы эпитаксиального вы.ращивания пленок феррита или металла с помощью химических транспортных реакций.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что металлические пленки наносят химическим транспортом вещества нагревателя, выполненного в виде маски, что позволяет уменьшить продолжительность изготовления матрицы.
Способ заключается в следующем. С использованием аппаратуры для эпитаксиального выращивания с помощью химических транспортных реакций на монокристаллическую подложку наращивают слои феррита, чередующиеся с проводящими шинками. Причем рисунок проводящих шин задается рисунком используемого в аппаратуре нагревателя (т.е. нагреватель является маской), вещество которого и используется в качестве материала для проводящего слоя.
Преимушествами способа являются: отсутствие необходимости в высокотемпературном обжиге:, способ наращивания резко уменьшает наличие нерегулярностей в структуре материала; процессом легко управлять, что дает возможность наносить слои материала точно заданной толщины.
Бремя нанесения одного слоя составляет
10 — lo мин. Процесс получения матрицы памяти может быть легко автоматизирован, Способ поясняется чертежом.
5 На сплошной ленточный нагреватель 1 устанавливаются подложка 2 и источник 8 в виде, например, ферритовой пластинки. После проведения химической транспортной реакции подложку вместе с нанесенной на нее плен10 кой 4 переносят на нагреватель 5, выполненный в виде маски. Затем вновь проводят химическую транспортную реакцию и подложку вместе с нанесенными на нее ферритовой пленкой и проводящими пленками переносят
15 на нагреватель, и процесс повторяют вновь.
Предмет изобретения
Способ изготовления матрицы памяти с замкнутым магнитопроводом путем эпитаксиального выращивания чередующихся пленок феррита и металла с помощью химических
25 транспортных реакций, отличающийся тем, что, с целью уменьшения продолжительности изготовления матрицы, нанесение металлических пленок осуществляют химическим транспортом вещества самого нагревателя, выполЗО ненного в виде маски.
204373
f! ! !
Составитель А, А, Соколов
Редактор Н. Джарагетти Техред T. П. Курилко Корректоры: И. Л, Кириллова и Н. И. Быстрова
Заказ 3892/9 Тираж 535 Подписное
Ц1 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
