Ячейка памяти со считыванием информации без разрушения

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

Сова Ссветскик

Социалистическиа

Республик

l87468

„%494@

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42m, 14

21ат, 37/16

Заявлено 12.Х.1965 (№ 1032417(26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 11.Х.1966. Бюллетень N 20

Дата опубликования описания 11 XI.1966

Комитет пс делам изобретений и открытий при Совете Иииистрсв ссср

МПК. 6 06f

Н 03k

УДК 681.142.07(088.8) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ СО СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ

БЕЗ РАЗРУШЕНИЯ

Известны ячейки памяти со считыванием информации без разрушения, состоящие из нанесенной на подложку пермаллоевой пленки, провода записи, провода съема и провода считывания.

Предложенная ячейка отличается от известной тем, что для увеличения амплитуды считанного сигнала и надежности хранения информации пермаллоевая пленка покрыта слоем из никеля без промежуточной изоляции.

На чертеже показана предложенная ячейка памяти. Она содержит пленку 1 никеля, пленку 2 FeNiCo, подложку 8, провод 4 записи, провод 5 считывания, провод б съема. На чертеже обозначено: А вЂ” ось трудного намагничивания, Б вЂ” ось легкого намагничивания, Ат вЂ” Аз вЂ” новое направление оси легкого намагничивания, Б, вЂ” новое направление оси трудного намагничивания.

При записи информации в ячейку памяти используются два поля: поле считывания и продольное поле записи. При записи «1» под воздействием этих полей ось легкого намагничивания пленки поворачивается на угол по часовой стрелке от оси легкого намагничивания, заданной магнитным отжигом, и устанавливается в направлении Ат. После отключения поля считывания вектор намагниченности пленки 1 ориентируется вдоль направления А1 и остается в этом положении сколь угодно долго.

Такой поворот оси анизотропии ячейки объясняется следующим образом. В пленке никеля существуют микроскопические центры неоднородностей с большими величинами хаотично ориентированной анизотропии. Центры анизотропии содержат настолько большую анизотропию, что намагниченность взятой в отдельности никелевой пленки определяется этими центрами, а не наведенной в процессе магнитного отжига анизотропией. Вследствие этого, при приложении поля в произвольно : направлении ко взятой в отдельности никелевой пленке и после его снятия намагниченность последней остается в направлении приложенного поля, так как было достигнуто локальное состояние минимальной энергии. Неоднородные деформации в сочетании с магнитострикцией являются причиной возникновения центров анизотропии в пленке Ni. В двухслойной пленке, состоящей из обычной, не обладающей вращательной анизотропией пленки

FeNiCo и пленки Ni, анизотропия центров неоднородностей никелевой пленки сильно ослабляется, вследствие чего при записи информации в ячейку из такой двухслойной пленки ось анизотропии последней поворачивается лишь в пределах небольших углов, определя30 емых соотношением толщин пленок.

При считывании информации используется только поле считывания, которое устанавливает вектор намагниченности пленки 1 в направлении А. В этом случае угол и между направлением намагниченности и новым направлением А1 оси легкого намагничивания меньше 90, и после отключения поля считывания намагниченность возвратится в предыдущее состояние А,. При считывании информации в этой ячейке наблюдается явление, напоминающее процесс самозаписи в обычных пленках при перекосе осей. Считывание информации в такой ячейке осуществляется полным адресным током, и амплитуда сигнала неразрушающего считывания фактически не отличается от амплитуды полного сигнала.

Поскольку . при считывании намагниченность пленки насыщается в направлении поля считывания и при этом информация не разру-. шается, то она.не раззрушится при любых дру- гих полях считывания, отличных по величине от поля.-;насыщения .: Следовательно, ячейка облад а ет выео,кой надежностью работы.

J.87408

Запись и считывание «О» происходит в тои

J же последовательности с той лишь разницей, что направление поля записи изменяется на противоположное. В этом случае ось легкого намагничивания поворачивается на угол против часовой стрелки и устанавливается в направлении А>. Вектор намагниченности пленки 1 после записи и последующих считываний устанавливается вдоль нового направления оси легкого намагничивания.

Сигналы считанных «1» и «0» различаются по фазам.

Предмет изобретения

Ячейка памяти со считыванием информации без разрушения, состоящая из нанесенной на подложку пермаллоевой пленки, провода записи, провода съема и провода считывания, отличающаяся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанного сигнала и надежности хранения информации, пермаллоевая пленка покрыта слоем из никеля без промежуточной изоляции.

Составитель А. В. Шилейко

Редактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректоры; О. Б. Тюрина и С. Н. Соколова

Заказ 3382/18 Тираж 1750 Формат бум. 60><90 /з Объсм 0,16 изд л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Ячейка памяти со считыванием информации без разрушения

Устройство для проверки пленочных матриц // 185576

Накопитель на сменных ферромагнитных // 185568

Способ записи и чтения информации с анизотропной тонкой ферромагнитной пленки // 184936

Патент 178173 // 178173

Стройство для соединения металлических подложек магнитных пленок с металлическимоснованием // 176719

Замкнутый запоминающий элемент // 167679

Патент 154722 // 154722

Способ изготовления матриц из пленочных диодов // 123351

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)