Способ изготовления многоуровневой разводки мдп ис

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного поликристаллического кремния, из последовательно нанесенных пленок двуокиси кремния и нитрида кремния с соотношением толщин от 1/14 до 1/7, после чего создают локальные оксидные области прокислением незащищенного маской слоя нелегированного поликристаллического кремния, легирование поликристаллического кремния проводят после удаления маски, после чего вытравливают локальные оксидные области, стравливание участков слоя нитрида кремния проводят перед формированием межслойного диэлектрика.

Способ создания металлизации интегральных схем // 1477175

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем

Способ выполнения межсоединений элементов в интегральных микросхемах // 1463059

Изобретение относится к технологии изготовления металлизированной разводки в интегральных схемах

Способ изготовления системы металлизации интегральных схем // 1459539

Способ изготовления омических контактов к арсениду галлия п- типа проводимости // 1440296

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним // 1424638

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента // 1400378

Способ изготовления интегральных схем // 1393233

Способ создания металлизации интегральных схем // 1389603

Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры // 1369598

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др