Способ изготовления системы металлизации интегральных схем

 

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем фоторезистивной маски, перед напылением металлического слоя формируют в слое полиимида приповерхностную пленку полиамидокарбоновой кислоты последовательной обработкой в растворе щелочи и в растворе кислоты, а одновременно с вжиганием металлизации проводят отверждение приповерхностной пленки полиамидокарбоновой кислоты в полиимид.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку в растворе щелочи проводят в едином технологическом цикле с удалением фоторезистивной маски.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др
Наверх