Способ создания металлизации интегральных схем

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия интегральных схем. Согласно изобретению на кремниевую подложку со сформированными МОП- транзисторами последовательно осаждают слои титана и молибдена. Затем напыляют слой кремния. Проводят термообработку в среде азота с образованием силицида титана . Затем удаляют слой кремния и молибдена плазмохимическим травлением. Удаляют непрореагировавший в процессе первой термообработки слой титана. Наносят второй слой кремния. Проводят вторую термообработку . После чего удаляют второй слой кремния,

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5ц5 K 01 1 21/28

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4088839/25 (22) 09.07.86 (46) 07.03.93. Бюл. KL 9 (72) М,М.Èâaíêîâñêèé, Ю;В.Агрич и

С.А. Сул ьжи ц (56) Европейский патент ФРГ М 0885777, кл, Н 01 L 21/285, 1983.

Sachltano 1. et al. Мо/Ti reetallzzatio for

self-aligned TiSl process, J. Vac. Sci

Technology. А 2 (2), 1984, р. 259 вЂ” 263, (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (57) Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем.

Цель изобретения вЂ” повышение надежностии быстродействия интегральных схем.

Пример, На кремниевую подложку со сформированными MOfl-транзисторами с поликремниевыми затворами последова тельно охлаждают слой титана толщиной

1000 А и слой молибдена толщиной 500 А методом электронно-лучевого напыления в вакууме при давлении 10 Па. Скорость напыления титана составляет 15 А/с. Температура подложки в процессе напыления составляет 523 К.

Затем на двухслойную пленку титан-молибден методом электронно-лучевого напыления в вакууме напыляют слой кремния толщиной 1000 А, Скорость напыления кремния составляет 10 А/с.

Проводят термообработку при температуре 833 К в течение 1 ч в реакторе понижен„„!Ы„„1389603 А1, схем. Цель изобретения вЂ” повышение надежности и быстродействия интегральных схем. Согласно изобретению на кремниевую подложку со сформированными МОПтранзисторами последовательно осаждают слои титана и молибдена. Затем напыляют слой кремния. Проводят термообработку в среде азота с образованием силицида титана. Затем удаляют слой кремния и молибдена плазмохимическим травлением. Удаляют непрореагировавший в процессе первой термообработки слой титана. Наносят второй слой кремния. Проводят вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния, ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.

Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений CF4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится.

Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана.

Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение H2SO4 . H202 = 7:3, температура

433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6 Ом/

Затем в реакторе пониженного давления осаждают при температуре 893 К слой поликристаллического кремния Toilщиной

1000 А. Термообработку для гомогениэации фазового состава и снижения сопротивле1389603

Составитель В,Долгополов

Техред M.Mîðãåíòàë Корректор M.Êåðåöìàí

Редактор M.ÂàñèëüåBà

Заказ 1955 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент". г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 чия слоя силицида проводят при температуре 1073 К в течение 10 мин в реакторе пониженного давления при давлении 66 Па в среде N>

После термообработки проводят плазмохимическое травление слоя поликристаллического кремния в плазме фторсодержащих соединений CFq e течение

2 мин селективно по отношению к слою дисилицида титана.

Поверхностное сопротивление слоя дисилицида на участках монокремния и поликремния составляет 1,0 Ом1п

Формула изобретения

Способ создания металлизации интегральных схем, включающий последовательное осаждение на подложку слоев титана и молибдена, первую термообработку в среде азота с образованием силицида титана, удаление слоя молибдена и непрореагировавшего с кремнием титана и вторую термообработку при температуре, превышающей температуру первой термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и быстродействия интегральных схем, после нанесения слоя молибдена на него наносят первый слой кремния, после первой термообработки первый слой кремния удаляют вместе со слоем молибдена, а после удаления слоя непрореагировавшего титана на слой силицида титана наносят второй слой кремния, который удаляют после второй термообработки.

Способ изготовления фотопреобразователей // 1356886

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово- силикатными стекловидными пленками // 1340484

Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия // 1335056

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1335055

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем // 1331364

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа // 1321313

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A3B5 p-типа

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1294213

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении металлизации интегральных схем

Способ формирования омических контактов к кремнию // 1292628

Способ изготовления моп-интегральных схем // 1292627

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др