Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%: Вольфрам или - 0,1 - 6 Молибден - 0,1 - 9 Кремний - Остальное

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем

Способ выполнения межсоединений элементов в интегральных микросхемах // 1463059

Изобретение относится к технологии изготовления металлизированной разводки в интегральных схемах

Способ изготовления системы металлизации интегральных схем // 1459539

Способ изготовления омических контактов к арсениду галлия п- типа проводимости // 1440296

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним // 1424638

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента // 1400378

Способ изготовления интегральных схем // 1393233

Способ создания металлизации интегральных схем // 1389603

Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры // 1369598

Способ изготовления фотопреобразователей // 1356886

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др