Способ формирования слоев пористого кремния

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования N_D 10¹⁴ см^-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности токов от 30 до 150 мА/см² в течение времени от 20 до 60 мин при освещенности рабочей поверхности кремния, которую устанавливают согласно соотношению G = i/1,5 + 30, где G - освещенность, люкс; i - плотность тока электролитического анодирования, мА/см².

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к планерной (групповой) технологии изготовления интегральных схем на подложках - полупроводниковых пластинах , и может быть использовано для ;t уменьшения толщин полупроводниковых

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия // 1424630

Способ очистки поверхности кремния // 1424072

Изобретение относится к электротехнической и электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии , а также к ряду смежных областей

Способ изготовления тестовых структур для электронно- зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости // 1378711

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия // 1369593

Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости // 1364146

Способ выявления микродефектов кремния с ориентацией (iii) // 1364142

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин

Способ селективного травления нитрида кремния // 1297665

Изобретение относится к микро-

Состав для очистки поверхности диэлектрика // 1292605

Изобретение относится к средствам для очистки поверхности диэлектрика и может быть использовано при производстве гибридных интегральных схем

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии // 1289305

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости