Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Целью изобретения является повышение скорости травления. Пленки ниобия на кремнии травят в плазме смеси хлор- и фторсодержащих газов при соотношении 0,1-1: 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см². При мощности на единицу поверхности от 0,01 до 1,45 Вт/см² скорость травления составляет 130-600 нм/мин. 1 табл.

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Цель изобретения повышение скорости травления. Пример. Проводят травление пленки Nb толщиной 0,2 мкм во фтор-хлорсодержащей плазме (SF₆ + CCl₄ + O₂) при давлении 110^-2 мм рт.ст. (1,33 Па). Результаты обработки при различных режимах приведены в таблице.

Формула изобретения

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии, включающий обработку образцов в плазме фторсодержащего соединения и кислорода при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления, в плазму дополнительно вводят хлорсодержащее газообразующее соединение при объемном отношении его к фторсодержащему газу (0,1 1) 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см².

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 23-2001

Извещение опубликовано: 20.08.2001

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологическом процессе обработки гомогенных монокристаллов диарсенида кадмиягермания

Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов дифторида бария // 1281085

Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем // 1277840

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии изготовления кремниевых приборов, и может быть использовано при обработке технологического процесса, а также при контроле качества эпитаксиальных структур

Способ анизотропного травления мезоструктур // 1266402

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем и подупроводниковых приборов, в частности к формированию мезоструктур "карманов" для кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Способ изготовления кремниевых мембран // 1266401

Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин // 1257730

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например , при химической обработке полупроводниковых пластин

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах // 1228722

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ)

Способ изготовления рельефных кремниевых структур // 1228720

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов из кремния на основе рельефных структур, например чувствительных элементов преобразователей механических величин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин // 1222175

Травитель для прецизионного химического полирования монокристаллов антимонида галия и твердых растворов на его основе // 1135382

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости