1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при эпитаксиальном наращивании увеличивают на 0,5-25 мкм относительно заданной.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин
Изобретение относится к микро-
Изобретение относится к средствам для очистки поверхности диэлектрика и может быть использовано при производстве гибридных интегральных схем
Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологическом процессе обработки гомогенных монокристаллов диарсенида кадмиягермания
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии изготовления кремниевых приборов, и может быть использовано при обработке технологического процесса, а также при контроле качества эпитаксиальных структур
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем и подупроводниковых приборов, в частности к формированию мезоструктур "карманов" для кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)
Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости
