Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных слоев, перед проведением ионной имплантации рабочую поверхность арсенида галлия обрабатывают в течение 1 - 10 мин при 20 - 70oC в 20 - 36%-ном водном растворе соляной кислоты, причем раствор подвергают вибрации с ультразвуковой частотой.
Похожие патенты:
Изобретение относится к электротехнической и электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии , а также к ряду смежных областей
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин
Изобретение относится к микро-
Изобретение относится к средствам для очистки поверхности диэлектрика и может быть использовано при производстве гибридных интегральных схем
Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологическом процессе обработки гомогенных монокристаллов диарсенида кадмиягермания
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)
Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости
