Способ выявления микродефектов кремния с ориентацией (iii)

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин. Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III). Способ заключается в следующем. Выявление микродефектов в пластинах кремния или в эпитаксиальных структурах на кремнии проводят путем травления в кипящем травителе состава, мас.%: фтористый водород 1 - 2, хромовый ангидрид 1 - 10, вода от 88 - 98 в течение 2 - 5 мин.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин. Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III). П р и м е р 1. Проводят выявление микродефектов в пластинах кремния КЭС 0,01 с ориентацией (III) с целью контроля плотности и характера распределения кластеров точечных дефектов в пластинах кремния, используемых в качестве подложек для эпитаксиального наращивания. Для этого приготавливают травитель следующего состава, мас.%: фтористый водород 1-2, хромовый ангидрид 1-10, вода 88-98 (1-10 г СrO₃ растворяют в 87-95 мл Н₂О и в полученный состав добавляют 2,0-4,5 мл плавиковой кислоты). Полученный состав во фторопластовой чашке нагревают на плитке. Когда состав начинает кипеть, осуществляют травление контролируемых образцов: пластины в горизонтальном состоянии рабочей поверхностью вверх погружают на 2-5 мин в травитель, затем пластины погружают в проточную деионизованную воду. После промывки (2-3 мин) пластины осушают фильтрами, затем просматривают сначала визуально, потом под микроскопом при увеличении 260^х и подсчитывают плотность фигур травления. П р и м е р 2. Выявляют микродефекты в эпитаксиальных структурах с ориентацией (III). Для этого изготавливают травители, как в примере 1. Травление и последующую обработку пластин проводят аналогично травлению и промывке в примере 1.

Формула изобретения

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%: Фтористый водород 1 - 2 Хромовый ангидрид 1 - 10 Вода 88 - 98 причем время травления составляет от 2 до 5 мин.