Способ выращивания монокристаллов иодата лития -liio3
Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени пересыщения
T = 6oC.
Похожие патенты:
Патент 353469 // 353469
Способ получения соединения cs3sb // 1069457
Способ получения тетраиндида рубидия // 813979
Патент 421875 // 421875
Патент 392971 // 392971
Способ выращивания монокристаллов // 136057
Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей
Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п
Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата)
Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе
Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)
Кремнегерманиевый кристалл // 2206643