Патент ссср 392971

Авторы патента:

C30B29/10 - неорганические соединения или композиции

Союз Советскнк

Социалистических

Республик

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п>392971 (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 030769 (21) 1343453/23-26 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 300880. Бюллетень ¹ 32

Дата опубликования описания 300880 (51)М. Кл.з

В 01 J 17/06

Государственный комитет

СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 691 ° 276 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Б.Б.Вишневский, С.Г.Тресвятский и Н.И.Чернявская

Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения AH украинской CCP (71) Заявитель

{54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА СИНТЕТИЧЕСКОГО

ФТОРАМФИБОЛОБОГО ACHECTA

Изобретение относится к получению неорганических соединенийаналогов природных минералов типа слюд, амфиболов и т.д., которые могут быть использованы в качестве наполнителей в различных композиционных материалах для электро- и радиотехники.

Известен способ получения порошка синтетического Фторамфиболового асбеста путем кристаллизации из расплава с использованием шихты, составленной иэ окислов и фторидов оответствующих элеиентов при высоких температурах с последующим охлаждением полученного продукта и его измельчением.

С целью упрощения процесса и улучшения Физических„ химических и ме- 2Q ханических свойств конечного продукта, предлагается вести процесс при

1450-1550оС с использованием шихты состава, вес.Ъ: 1,8-2,2 XF (где ХNa, L1) 0,5-1,5 MgF,. 5-6 Mg0 и 7- 25

8,5 Si0 g, с последующим охлаждением ,расплава со скоростью 10-20 С/мин и измельчением полученного продукта диспергированием в воде. Эффект улучшения свойств порошка фторамфиболово-З(ro асбеста достигается эа счет дис-, пергирования поликристаллического слитка в каком-либо растворителе, например в воде.

Пример. Исходные компоненты, например фториды натрия, лития и магния, карбонаты натрия и лития, окись магния и окись кремния и т.п., в качестве которых используют как химические реактивы, так и технические продукты, сушат или прокаливают. пихту предлагаемого состава перемешивают, а затем плавят в высокотемпературных печах в графитовых тиглях.

Расплав охлаждаю со скоростью 1020 C/ìèí. Поликристаллические слитки, содержащие 70-90% основного продукта вЂ” синтетического амфибола типа

ФтоРРихтерита (н в Н9ь ь 8 0»F ) или литиевого протоамфибола (L i Mg+S i@A Fz) и 10-20Ъ кристаллиэующегося совместно с амфиболом водонабухающего фторгекторита, обрабатывают в воде. Полученный в результате самопроизвольно го диспергирования слитка порошок отделяют декантацией или фильтрованием и сушат. В результате диспергирования получают кристаллы амфибола шириной 5-10 мкм и длиной 300-500 мкм.

392971

Формула изобретения

Составитель Н.Чернявская

Техред М.Кузьма Корректор В.Синицкая

Редактор Е.Месропова

Заказ 6830/78 Тираж 809 Подписное.

gHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва,. Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ получения порошка синтетического фторамфиболового асбеста путем кристаллизации из расплава с использованием шихты, составленной из окислов и фторидов соответствующих элементов при высоких температурах с последующим охлаждением полученного продукта и его измельчением, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения физических, химических и механических свойств конечного продукта, процесс ведут при 1450-1550 С с использованием шихты состава, вес.В: 1,822 XF (где Х - Na, L i), 0515

NgF, 5-6 HgO и 7-8,5 5IOg с последующим охлаждением расплава со скоростью 10-20 С/мин и измельчением полученного продукта диспергировани10

Способ выращивания монокристаллов // 136057

Способ выращивания кристаллов в домашних условиях // 2130978

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Кристаллизатор для выращивания кристаллов из пересыщенного раствора // 2165486

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Способ получения монокристаллов оптического кальцита // 2194806

Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата)

Способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4 // 2195520

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе

Способ и устройство для выращивания кристаллов // 2198968

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Кремнегерманиевый кристалл // 2206643

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2209260

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации

Подложка для выращивания эпитаксиальных пленок и слоев нитрида галлия // 2209861

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов sic-aln // 2260636

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2267565

Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов

Способ выращивания монокристалла -bab2o4 // 2139957

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения

Способ получения кристаллогидрата платинохлористоводородной кислоты // 2324016

Способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата // 2487968

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3

Способ выращивания монокристаллов литий-висмутового молибдата // 2519428

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li8Bi2(MoO4)7. Кристаллы выращивают из раствора-расплава литий-висмутового молибдата в растворителе путем кристаллизации при постепенном охлаждении расплава и выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют эвтектическую смесь, содержащую 47 мол. % оксида молибдена и 53 мол. % молибдата лития при содержании литий-висмутового молибдата и эвтектической смеси, равном 10-40 мол. % и 90-60 мол. %, соответственно, выращивание ведут в условиях низких градиентов температуры, составляющих менее 1 град/см, на затравку, ориентированную по [001] и вращающуюся со скоростью 20-30 об/мин при скорости вытягивания 0,5-2,0 мм/сутки при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,2-5,0 град/сутки с последующим отделением выращенных кристаллов от раствора-расплава и охлаждением до комнатной температуры. Изобретение позволяет получать крупные (размером 20×30 мм) кристаллы Li8Bi2(MoO4) высокого оптического качества. 1 пр.

Способ выращивания монокристаллов калий-бариевого молибдата // 2540555

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов калий-бариевого молибдата K2Ва(МоО4)2 из раствора-расплава K2Ва(МоО4)2 для исследования физических свойств и практического использования. В качестве растворителя используют молибдат калия K2MoO4,, при мольном соотношении калий-бариевого молибдата и молибдата калия K2MoO4, равном 1:2, соответственно, кристаллизацию ведут на затравку, вытягиваемую со скоростью от 1 до 2 мм/сутки и вращающуюся со скоростью 30-40 об/мин, ориентированную по направлению [001], охлаждение расплава ведут со скоростью от 0,2 до 3 град/сутки, а охлаждение кристаллов со скоростью 20 град/сутки. Предлагаемый способ позволяет получить оптически однородные кристаллы K2Ва(МоО4)2, без включений, блоков и трещин, крупных размеров (25×15 мм). 1 пр.

Способ выращивания монокристаллов рубидий-висмутового молибдата // 2542313

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов рубидий-висмутового молибдата RbBi(MoO4)2. Кристаллы RbBi(MoO4)2 выращивают из высокотемпературного раствора в расплаве из шихты, содержащей растворитель димолибдатат рубидия и тройной литий-рубидий-висмутовый молибдат LiRbBi2(MoO4)4, при соотношении последнего к димолибдату рубидия, равном 10-40: 90-60 мол. %, соответственно, кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную по направлению [001], при вращении затравки со скоростью 30-65 об/мин и скорости вытягивания 0,3-1,0 мм/сутки, при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,2-1,0 град/сутки, при этом выращивание ведут в условиях низких градиентов ∆T меньше 1 град/см в растворе-расплаве. Изобретение позволяет получать крупные однородные кристаллы RbBi(MoO4)2 высокого оптического качества. 1 пр.

Способ выращивания монокристаллов натрий-висмутового молибдата // 2556114

Изобретение относится к области химической технологии выращивания кристаллов натрий-висмутового молибдата NaBi(MoO4)2 для исследования физических свойств и практического использования. Монокристаллы NaBi(MoO4)2 выращивают путем кристаллизации из высокотемпературного раствора в расплаве шихты, содержащей натрий-висмутовый молибдат и растворитель димолибдат натрия в соотношении, равном 10-30:90-70 мол.% соответственно, кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно грани дипирамиды [101], при вращении затравки со скоростью 15-30 об/мин и скорости вытягивания 1-5 мм/сутки, при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,5-15 град/сутки, при этом выращивание ведут в условиях низких градиентов ΔT/Δl менее 1 град/см в растворе-расплаве. Способ позволяет получать бесцветные, стехиометричные по структуре, крупные (размерами 75×30 мм), оптически однородные кристаллы NaBi(MoO4)2. 1 пр.

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия ba2na3 (b3o6)2f // 2591156

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике. Монокристалл Ba2Na3(В3О6)2F выращивают из высокотемпературного раствора путем снижения температуры раствор-расплава на вытягиваемую и вращающуюся ориентированную вдоль оптической оси затравку. В качестве растворителя используют борат натрия-бария NaBaBO3. Кристаллизацию проводят в системе Ba2Na3(B3O6)2F-NaBaBO3 при соотношении Ba2Na3(В3О6)2F:NaBaBO3, равном 60-80:40-20 мол.%. Метафторидоборат бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F обладает в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц высоким двупреломлением (Δn/n=0.16) и низким поглощением (менее 10 см-1). Технический результат изобретения заключается в воспроизводимом получении монокристаллов Ba2Na3(B3O6)2F оптического качества, не содержащих видимых включений, с коэффициентом выхода - 3.75-3.95 г/(кг·град). 2 ил., 1 пр.

Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba12(bo3)7f4 // 2615691

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков, устройств индикации, отображения и хранения информации, элементов памяти. Кристалл LiBa12(BO3)7F4, характеризуемый наличием эффекта избирательного поглощения - эффектом дихроизма в видимой области спектра, выращен из раствор-расплава исходных компонентов, взятых в соотношении 0,30 ВаСО3 : 0,30 BaF2 : 0,30 Н3ВО3 : 0,10 Li2CO3 на затравку методом снижения температуры раствор-расплава от 910°С до 888°С при скорости снижения температуры 1,2-1,5°С/сут и одностороннем вращении кристалла со скоростью 1,0-2,0 об/мин. Технический результат заключается в получении эффективной среды для линейной дихроичной поляризации, оптическое качество которого обеспечивает изготовление пластин, обеспечивающих получение поляризованного света в видимой области спектра. 4 ил., 1 пр.