Патент ссср 421875
ьоео() з л ф
ытеи... - . - -ив® бк ?) !30 < - - .; >- -: (<
ОП ИСАНИНА
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К лВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Со)оз Советских
Социалистических
Республик,?и!31! 0113!OC ОT ;113Т. CI311, ((3 (, l I,() !3 i
";:я я вле!10 05. 04. 72 1768693?23-26
)1, (>,1, 27!> 9/>06
В 0jj !7 00
С II I) ll(O(ДИ ПЕ11ИЕ?>! 3<1>! !3К!1 ¹
П р I IOð lггет--(>!1) Оликоl)яl!О 30.0).>«). Г )>1()с!лi. ò(. IIЬ,!<>о 1
Гасударственный комитет
Совета Министров ССС9 по делам изобретений и открытий! К 62 !. 36,). 4 1-! (()86>.N), .1,?!та опубликования они(я!!1!я 12.02.75
Л!)торы !! 3 ООP CТ С(I (I u
Л. Б. HCKI)
Леииигр<(дский горный институт им. !. В. Плеханова
3;1 Si I3 I I1 (:! 1>
УСТА 10k? КА ДЛЯ ВЫСО?с,О(1ЛОТОТПОГО Н!)Г!) 1:!?А
MÀ т=Г)ИЛДОВ. ) 013(!.1!! !) > I(! I!! 1!(i! j>OK, I 1.(K!I /, В Ilcxo;>,ll()! (посlожеппп ООР;10аты(3Я(.".1 ы1!
: р! стялл 3 помещают в резонатор 2 иа теплои;>Окл;1.(K«7. Ho jocTII)KOIIIIII в резонаторе,i;iв.,с(!!!3? 10 т(?) Гключают систе.;у явToii»T!I>Iecкого регу iиpo()япия, котора» .;
O e j) e. (i Г> ..З I A > I i> e T (3! >i C Oh O (I il C 1 0 T! I hi l I 1 (. . 1 pÿ) oj) 1. П!) и этот! <10II(IIoc гl>. 110;(<1 в(1(ilil si
:; резонатор, пяхо IIITc» в обратно пропорц!юияльиой з(1!3!!Сиз!Ости от степепи прозр!«. >(ти кристалла 8. По достижепии оорязцом ..:1 ililjllo! II!oli прозряч(юсти система ягтомат(1>!еского регулирования отключает подачу .:.:) циост?! и по мере остываиия кристалл?1
»регрессии)ио умеиыияет темп откачки !30:)ду. « ПОC,Л":е ТО! (> К» K Kp IIСТяЛ, 1 О TI I II(Т (I (> ! ) I!. IcK я 0 очей к я мс. р ы.
Установи;1 (,!» 1>ысокоч;lсг>гl!О(О пягрс13я :i!!! (j) llle()KO>I;Icтотl!ьlй "ii(Р IТО(> 11 11(ЗО(1,1. (>1) !> 13»ДС ПО,1010 >IС Г,1.1,111 !(. i((!: О I(i!,".
1!i fP 1i I М TO K 0 II j) 0!30;j S! (I (Ii)I P< Oh P 1>1 TI I!> М l I lh (и ОТОи л::.i!I уста:ювл(цы фотоэлектрические дятчи30 Kl! степени ирозря(иости кристалла. coc;illll(Изоорете!(ие касается выращивания и гср ми iec!.ой обработки кристаллов, например, :,сляпдского шпата и может быль использÎья !о в химической и радиоэлектрической иромьш леииости.
I1hj:ecT!Ià установка для высокочастот;, .>го нагрева материалов, содержащая высо— ,.О !()стот!(ый генератор и резонатор в 131!ле поОго метя,зличе" кого цилиндра.
И;1!!яко ь известной установке при иягре!)с !
1ei прозрачных материалов иевозмож)!О
К0. !тролировать степень их прозрачности, сям иагревасмый материал прогревяется .1eра в номерио.
Г целью термической обработки кристял,1ОГ> 1!СЛЕ)ИДСKOГО ШПЯТа (IЯ ТОРЦОВЫХ C! С>!(KЯХ .(и. IIIII,jj>» выполиеиы окия из стекла с нрозj>(!
Пя чс рт(>i с иокязя па предляг;)емяя устя11()13! Сi.
О»» co;!cj);Kirт высокочастотный генератор (. резси(ятор 2, в который помещают кристял, ы 8, окна 4, фотоэлектрические датчики >, ьк.почеиш>(е в схему б автоматического регуПредмет изобретепия
42«875
5О
I4 I
«««
Заказ 5587 14зд. M 1424 Тираж 624 Подплсное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб, д 4/5
Череповецкая городская типография
Составитель А. Коле))пд(цсв
Редактор Ю, Агапова Техред Е. Борисова Корректор Е. Кашина
