Способ получения варизонных структур с p-n переходом
Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки инверсии.
Похожие патенты:
Способ получения p-n-переходов // 683399
Способ получения слоев двуокиси кремния // 676100
Способ получения р-п структур // 639358
Способ осаждения слоев теллурида цинка // 625509
Способ нанесения пленок // 2102814
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии
Способ изготовления интегральных схем // 2109371
Изобретение относится к области изготовления интегральных схем
Изобретение относится к области электронной техники, преимущественно микроэлектронике и может быть использовано в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках
Испарительный тигель // 2133308
Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии изготовления микромеханических приборов, в частности, микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур